垂直型 MOCVD 反応器における GaN 薄膜の成膜速度分布に及ぼす圧力と流量の影響
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概要
著者
-
奥山 喜久夫
広島大学工学研究科
-
家近 泰
住友化学工業(株)つくば研究所
-
前田 尚良
住友化学工業(株)つくば研究所
-
島田 学
広島大学工学部 第三類化学
-
家近 泰
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
島田 学
広島大学大学院工学研究科物質化学システム専攻化学工学講座
-
島田 学
広島大学工学部
-
SETYAWAN Heru
広島大学工学部 第三類化学工学講座
-
Setyawan H.
広島大学工学部 第三類化学工学講座
-
前田 尚良
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
Okuyama K
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
-
奥山 喜久夫
広島大学工
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