垂直型MOCVD反応器におけるGaN薄膜の成膜速度分布の実験とシミュレーションによる検討 : バルク成長シンポジウム
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概要
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The effects of operation conditions of a vertical MOCVD reactor for GaN thin film preparation are studied. Numerical simulation results reproduce well the measured change of growth rate distribution with pressure and flow rate. The change of growth rate distribution is found to be caused by a change in flow pattern in the reactor which affects GaN precursor concentration distribution above the substrate.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
奥山 喜久夫
広島大学工学研究科
-
家近 泰
住友化学工業(株)つくば研究所
-
前田 尚良
住友化学工業(株)つくば研究所
-
島田 学
広島大学工学部 第三類化学
-
家近 泰
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
島田 学
広島大学大学院工学研究科物質化学システム専攻化学工学講座
-
島田 学
広島大学工学部
-
Setyawan H.
広島大学工学部
-
Setyawan H.
広島大学工学部 第三類化学工学講座
-
前田 尚良
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
Okuyama K
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
-
奥山 喜久夫
広島大学工
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