家近 泰 | 住友化学工業株式会社 筑波研究所
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概要
関連著者
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家近 泰
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
前田 尚良
住友化学工業株式会社 筑波研究所
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家近 泰
住友化学工業(株)つくば研究所
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前田 尚良
住友化学工業(株)つくば研究所
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大 工
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直井 弘之
三重大学SVBL
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水谷 広光
三重大・工
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西山 克哉
三重大・工
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澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
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灰野 正紘
三重大学工学部電気電子工学科
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山口 元男
三重大学工学部電気電子工学科
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水谷 広光
三重大学工学部電気電子工学科
-
西山 克哉
三重大学工学部電気電子工学科
-
沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
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澤木 宣彦
名古屋大学
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澤木 宣彦
名古屋大
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奥山 喜久夫
広島大学工学研究科
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灰野 正絋
三重大学工学部電気電子工学科
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島田 学
広島大学工学部 第三類化学
-
島田 学
広島大学大学院工学研究科物質化学システム専攻化学工学講座
-
島田 学
広島大学工学部
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坊山 晋也
三重大学 工学部
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吉川 兼司
三重大学 工学部
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三宅 秀人
三重大学 工学部
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平松 和政
三重大学 工学部
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竹内 亮
三重大学 工学部
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Riemann T
institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
Bertram F
institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
Christen J
institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
Riemann T
Otto‐von‐guericke‐univ. Magdeburg Deu
-
Bertram F
Otto-von-guericke‐univ. Magdeburg Magdeburg Deu
-
Bertram F
Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg
-
Christen J
Otto-von‐guericke Univ. Magdeburg Deu
-
Christen J
Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg
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Setyawan H.
広島大学工学部 第三類化学工学講座
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Okuyama K
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
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奥山 喜久夫
広島大学工
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平松 和政
三重大学 大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学 大学院工学研究科
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生川 満久
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大・工
-
坊山 晋也
三重大学工学部
-
吉川 兼司
三重大学工学部
-
竹内 亮
三重大学工学部
-
Riemann T.
Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
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Bertram F.
Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
Christen J.
Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg
-
SETYAWAN Heru
広島大学工学部 第三類化学工学講座
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生川 満久
三重大・工
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元垣内 敦司
三重大・工
-
三宅 秀人
三重大・工
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家近 泰
住友化学(株)
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前田 尚良
住友化学(株)
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Setyawan H.
広島大学工学部
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Riemann T
Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg
著作論文
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 垂直型 MOCVD 反応器における GaN 薄膜の成膜速度分布に及ぼす圧力と流量の影響
- FACELO(ファセット制御・選択横方向成長)GaN結晶の評価 : エピタキシャル成長II
- 垂直型MOCVD反応器におけるGaN薄膜の成膜速度分布の実験とシミュレーションによる検討 : バルク成長シンポジウム
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- 低欠陥GaNエピ基板の開発 (〔三重大学地域共同研究センター〕平成10年度 共同研究成果報告)