西山 克哉 | 三重大・工

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• 西山 克哉

  三重大・工

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 元垣内 敦司

  三重大学工学部電気電子工学科

• 西山 克哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 家近 泰

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 水谷 広光

  三重大・工

• 前田 尚良

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 家近 泰

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 前田 尚良

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 水谷 広光

  三重大学工学部電気電子工学科

• 生川 満久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大・工

• 生川 満久

  三重大・工

• 元垣内 敦司

  三重大・工

• 三宅 秀人

  三重大・工

• 家近 泰

  住友化学(株)

• 前田 尚良

  住友化学(株)

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著作論文

• FACELO(ファセット制御・選択横方向成長)GaN結晶の評価 : エピタキシャル成長II
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
• 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
• 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果

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