FACELO(ファセット制御・選択横方向成長)GaN結晶の評価 : エピタキシャル成長II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Characterization of GaN grown by FACELO (Facet Controlled ELO) technique was carried out. Dislocation density of GaN epitaxial layer was reduced to the order of 10^6cm^<-2> via FACELO. It was also found that tilt of c-axis of the FACELO GaN was small. Temperature dependence of PL spectra of the FACELO GaN shows quality of the crystal was fairly good.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
生川 満久
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大・工
-
家近 泰
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
生川 満久
三重大・工
-
水谷 広光
三重大・工
-
西山 克哉
三重大・工
-
元垣内 敦司
三重大・工
-
三宅 秀人
三重大・工
-
家近 泰
住友化学(株)
-
前田 尚良
住友化学(株)
-
前田 尚良
住友化学工業株式会社 筑波研究所
関連論文
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察 : エピタキシャル成長II
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- 横方向エピ成長(ELO)させたGaN薄膜の微細組織
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 垂直型 MOCVD 反応器における GaN 薄膜の成膜速度分布に及ぼす圧力と流量の影響
- FACELO(ファセット制御・選択横方向成長)GaN結晶の評価 : エピタキシャル成長II
- 垂直型MOCVD反応器におけるGaN薄膜の成膜速度分布の実験とシミュレーションによる検討 : バルク成長シンポジウム
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- 低欠陥GaNエピ基板の開発 (〔三重大学地域共同研究センター〕平成10年度 共同研究成果報告)
- 26aB02 凹凸AlNエピタキシャル基板を用いた高Alモル分率AlGaNの転位密度低減(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
- 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
- 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
- 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果