加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
HVPE法は高品質な厚膜の成長法として適しているが,最適な成長条件は確立されていない。成長条件確立のため,成長圧力がGaNの諸特性に与える影響を調べた。特にこれまで報告されていない加圧成長に関して詳細に報告する。減圧(0.4atm),常圧で成長を行った場合,結晶中にクラックが発生したのに対し,加圧(1.2atm)で成長した結晶中にはクラックが発生しなかった。また,減圧(0.4atm),常圧成長の場合ω-scanによるX線ロッキングカーブ(XRC)の半値幅が(0004)回折(tilt角),(101^^-0)回折(twist角)ともに350arcsecを超えたが,加圧成長(1.2atm)ではXRC半値幅が(0004)回折,(101^^-0)回折ともに約190arcsecであり,減圧,常圧に比較して非常に小さくなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
家近 泰
住友化学工業(株)つくば研究所
-
前田 尚良
住友化学工業(株)つくば研究所
-
家近 泰
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
平松 和政
三重大 工
-
直井 弘之
三重大学SVBL
-
坊山 晋也
三重大学 工学部
-
吉川 兼司
三重大学 工学部
-
三宅 秀人
三重大学 工学部
-
平松 和政
三重大学 工学部
-
前田 尚良
住友化学工業株式会社 筑波研究所
-
平松 和政
三重大学 大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学 大学院工学研究科
関連論文
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察 : エピタキシャル成長II
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
- 横方向エピ成長(ELO)させたGaN薄膜の微細組織
- 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- サファイア基板上のGaNのヘテロエピタキシー機構(ヘテロエピタキシー機構)
- TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 垂直型 MOCVD 反応器における GaN 薄膜の成膜速度分布に及ぼす圧力と流量の影響
- FACELO(ファセット制御・選択横方向成長)GaN結晶の評価 : エピタキシャル成長II
- 垂直型MOCVD反応器におけるGaN薄膜の成膜速度分布の実験とシミュレーションによる検討 : バルク成長シンポジウム
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- 低欠陥GaNエピ基板の開発 (〔三重大学地域共同研究センター〕平成10年度 共同研究成果報告)
- 窒化物半導体結晶のエピ成長と欠陥発生
- MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
- HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
- MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
- HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE 法によるInGaN の結晶成長 : エピタキシー I
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価
- 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
- AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
- M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
- InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
- Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aB02 凹凸AlNエピタキシャル基板を用いた高Alモル分率AlGaNの転位密度低減(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- 透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
- 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
- MOVPE法により成長した高品質AlNエピタキシャル膜(AlN結晶成長シンポジウム)
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))