高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The VUV photodetector was fabricated using AlGaN with high Al content (50%) grown on epitaxial AlN film on sapphire (0001) by LP-MOVPE. Current-voltage and spectral responsivity at 200〜400 nm were measured. Leakage current was extremely low and the responsivity had risen up sharply for 4.7 eV (265 nm) corresponding with AlGaN bandgap.
- 2003-07-05
著者
-
平松 和政
三重大学
-
福井 一俊
福井大学遠赤外領域開発センター
-
三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
-
福井 一俊
福井大fir
-
元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
-
柴田 泰宏
三重大学工学部
-
平松 和政
三重大 工
-
三宅 秀人
三重大
-
元垣内 敦司
三重大・工
-
福井 一俊
福井大 工
-
只友 一行
三菱電線工業
-
石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
-
石賀 章
三重大・工
-
大内 洋一郎
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
-
濱村 寛
株式会社ニコン精機カンパニー
-
濱村 寛
(株)ニコン精機カンパニー
-
安川 浩範
三重大
-
木田 喜啓
三重大
-
安川 浩範
三重大学工学部
-
木田 喜啓
三重大学工学部
-
元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
-
只友 一行
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
-
平松 和政
三重大
関連論文
- 光関連デバイス-2 III族窒化物半導体の選択成長と発光デバイスへの応用
- SPring-8 赤外物性ビームライン - BL43IR - の建設
- 22pM-1 SPring-8の赤外物性ビームラインBL43IRの紹介
- 20aYJ-4 マグネリ相Mo_nO_の赤外反射スペクトル
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 17aRF-19 PbI_2:CN^-結晶の高分解能赤外吸収スペクトル
- 22aXC-9 CdX_2:CN^-(X=Cl, Br)におけるCN^-伸縮振動スペクトルの高分解能測定
- 3a-W-14 アルカリハライド結晶に於ける表面CN^-中心の発光
- 26a-X-8 アルカリハライド結晶の固有発光III
- 5a-W-1 アルカリハライド固有発光の寿命 II
- 2a-N-2 アルカリハライド固有発光の寿命
- 5a-A-12 極紫外光照射によるKCI結晶上のCN^-生成(II)
- 31p-H-1 層状結晶SnI_2の光学スペクトル
- 29p-J-3 PbCl_2結晶の励起子状態
- 29p-J-2 CdBr_2-CdI_2混晶に於ける局在励起子発光
- 29a-Q-2 CdX_2(X=Cl,Br)結晶のSTE発光
- 28a-ZD-18 CdBr_2, CdCl_2におけるUV発光
- 26a-ZD-5 アルカリハライド表面CN^-の発光
- 29p-G-2 斜方晶PbCl_2とPbBr_2の偏光反射スペクトル
- 25p-W-11 PbBr_2-PbI_2混晶のVUV域反射スペクトル
- 3a-W-17 P型及びn型半導体SnTeのTe4d内殻吸収
- 2a-P-12 固体ネオンのK吸収スペクトル
- 2a-P-3 CdCl_2-CdBr_2混晶のVUV域反射スペクトル
- 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
- 30p-E-10 ケイ素高分子のSi-L_吸収
- 5a-A-10 IV族Te化物のVUVスペクトル
- 核融合プラズマ計測センター放射光実験設備の建設 (II) : 一次分光器の評価および較正装置の製作と応用
- 核融合プラズマ計測センター放射光実験設備の建設 (I) : 較正計画の概要とビームライン及び一次分光器の製作
- 28a-Y1-9 核融合プラズマ計測センター放射光実験設備立ち上げ(I)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 青色発光ダイオードを求めて
- 第11回「リフレッシュ理科教室」開催報告 : 東海支部三重会場
- 第10回「リフレッシュ理科教室」開催報告 : 東海支部三重会場
- 直入射斜入射結合型分光器SGM-TRAINの制作
- 結晶成長技術
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 17aRF-12 MgAl_2O_4に於けるTb^の電子状態に関する研究
- 17aRF-3 PbCl_2:Sn^結晶における緩和発光の温度依存性
- 28a-YE-12 CdBr_2基板上CdI_2薄膜の吸収スペクトル
- 31p-YN-7 低温蒸着CdI_2薄膜の発光スペクトル
- 2a-F-8 PbCl_2結晶の緩和励起子
- 29p-J-12 CdBr_2結晶における濃度消光
- 28p-J-7 CdBr_2基坂上に蒸着したCdI_2薄膜のアニール効果
- 1p-P-8 CdI_2-CdBr_2多層膜の作成と光吸収
- 28p-F-12 低温蒸着 CdX_2 (X=1, Br) 薄膜に対するアニール効果
- 透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- 30p-E-19 分子研UVSOR の遠赤外領域における偏光特性
- テラヘルツ領域時間領域分光計の改造
- InNにおける顕微赤外反射スペクトル
- 遠赤外〜近赤外領域における歯の分光イメージ計測
- InN薄膜結晶の赤外反射スペクトル
- 28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- テラヘルツ時間領域分光装置の評価
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
- 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
- 25pWZ-1 CuInSe_2結晶の欠陥のSTEM観察(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- ISGN-2 プレ・シンポジウム『未来を切り開く窒化物半導体結晶』(学会活動報告)
- 6p-C3-8 アンジュレータ光照射によるKC1の着色II
- 6p-C3-6 アルカリ塩化物結晶の短寿命発光
- 6p-C3-4 Cdハライド結晶内殻励起子領域の偏光反射スペクトル
- GaNのHVPE法による厚膜バルク成長 (特集 ナイトライドセラミックスの新展開(1))
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 第5回窒化物半導体国際会議(ICNS-5)報告
- ワイドバンドギャップ半導体(1)窒化物(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- GaNエピタキシャル基板の現状と問題点 : バルク成長シンポジウム
- III族窒化物半導体の結晶成長とカソードルミネッセンス評価
- テラヘルツ時間領域分光法を用いた腫瘍の病理診断への応用
- 編集委員会と学会誌の30年間の変遷(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- テラヘルツ時間領域分光法によるアスパラギン一水和物の脱水和過程の研究 (平成23年度福井大学遠赤外領域開発研究センター研究成果報告書)
- テラヘルツ波透過測定による医薬品錠剤の識別
- テラヘルツ時間領域分光法によるアスパラギン一水和物の脱水和過程の研究
- 分子動力学法による法話炭化水素のテラヘルツ誘電応答の微視的起源
- 弱い水素結合に起因するテラヘルツ誘電応答の研究
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長