平松 和政 | 三重大学
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概要
関連著者
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平松 和政
三重大学
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長尾 哲
三菱化学科学技術研究センター
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平松 和政
三重大 工
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神野 大樹
三重大学
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岡田 俊祐
三重大学
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江夏 悠貴
三菱化学
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三宅 秀人
三重大学
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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福井 一俊
福井大学遠赤外領域開発センター
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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福井 一俊
福井大fir
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大工
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柴田 泰宏
三重大学工学部
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三宅 秀人
三重大
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三宅 秀人
三重大学 工学部
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元垣内 敦司
三重大・工
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福井 一俊
福井大 工
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尾鍋 研太郎
東大新領域
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只友 一行
三菱電線工業
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石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
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石賀 章
三重大・工
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大内 洋一郎
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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濱村 寛
株式会社ニコン精機カンパニー
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濱村 寛
(株)ニコン精機カンパニー
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安川 浩範
三重大
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木田 喜啓
三重大
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安川 浩範
三重大学工学部
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木田 喜啓
三重大学工学部
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元垣内 敦司
三重大学
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碓井 彰
日本電気(株)基礎研究所
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尾鍋 研太郎
東大院新領域
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平松 和政
三重大工学部
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碓井 彰
古河機械金属株式会社
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只友 一行
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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碓井 彰
古河機械金属株式会社 ナイトライド事業室
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平松 和政
三重大
著作論文
- 光関連デバイス-2 III族窒化物半導体の選択成長と発光デバイスへの応用
- 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
- GaNのHVPE法による厚膜バルク成長 (特集 ナイトライドセラミックスの新展開(1))
- 第5回窒化物半導体国際会議(ICNS-5)報告
- ワイドバンドギャップ半導体(1)窒化物(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- GaNエピタキシャル基板の現状と問題点 : バルク成長シンポジウム
- III族窒化物半導体の結晶成長とカソードルミネッセンス評価
- 編集委員会と学会誌の30年間の変遷(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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- 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長
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