碓井 彰 | 日本電気(株)基礎研究所

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概要

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関連著者

• 碓井 彰

  日本電気(株)基礎研究所

• 碓井 彰

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 碓井 彰

  古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室

• 小林 憲司

  日本電気(株)基礎研究所

• 笹岡 千秋

  Nec光・無線デバイス研究所

• 笹岡 千秋

  日本電気(株)基礎研究所

• 砂川 晴夫

  日本電気(株)光・無線デバイス研究所

• 山口 敦史

  日本電気(株)光・無線デバイス研究所

• 山口 敦史

  金沢工大 ものづくり研

• 砂川 晴夫

  古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室

• 平松 和政

  三重大学

• 望月 祐志

  日本電気(株)基礎研究所

• 碓井 彰

  古河機械金属株式会社

• 碓井 彰

  古河機械金属株式会社 ナイトライド事業室

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著作論文

• III-V族化合物半導体気相成長プロセスの解明 - 実験とシミュレーション -
• ALE成長とデバイス
• GaN基板結晶成長技術の最近の進展(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN基板結晶成長技術の最近の進展(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• ワイドバンドギャップ半導体(1)窒化物(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 原子層制御エピタキシー

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