原子層制御エピタキシー
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
量産に適した青紫色半導体レーザ(RiS-LD)の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
量産に適した青紫色半導体レーザ(RiS-LD)の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
ハイドライドVPE,MOVPEによるGaN ELO成長(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
-
III-V族化合物半導体気相成長プロセスの解明 - 実験とシミュレーション -
-
ALE成長とデバイス
-
GaN基板結晶成長技術の最近の進展(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
GaN基板結晶成長技術の最近の進展(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
-
21世紀を切り開く機能性単結晶の基礎と応用(第8回)HVPE法を用いたGaN単結晶の育成
-
III-V族化合物半導体エピタキシャル膜製造装置の開発
-
技術開発 青紫色GaN系レーザダイオード (ストレージソリューション技術特集)
-
22aB7 FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化(気相成長II)
-
[hhk]方向を向く量子細線における光学的異方性
-
ワイドバンドギャップ半導体(1)窒化物(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
-
GaN選択横方向成長による転位密度の低減
-
塩化物原料を用いた3-5族化合物半導体の原子層エピタキシ-
-
原子層制御エピタキシー
-
ハイドライド気相成長法による高品質GaN結晶の育成
-
顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
-
顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
-
顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
-
UVナノインプリントによって形成したナノチャンネルFIELO法による低転位GaNテンプレート基板作製の研究(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク