ハイドライド気相成長法による高品質GaN結晶の育成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-06-20
著者
-
山本 一富
古河機械金属(株)日野研究所
-
山口 敦史
金沢工業大学 ものづくり研究所
-
砂川 晴夫
古河機械金属(株)半導体装置事業室
-
碓井 彰
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
碓井 彰
古河機械金属
-
山口 敦史
金沢工大 ものづくり研
-
耿 慧遠
古河機械金属(株)素材総合研究所
-
砂川 晴夫
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
-
耿 慧遠
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
-
碓井 彰
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
-
鷲見 紀彦
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
-
砂川 晴夫
古河機械金属 ナイトライド事業室
-
耿 慧遠
古河機械金属 ナイトライド事業室
-
山本 一富
古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室
関連論文
- HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体量子井戸の偏光特性
- 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
- FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
- 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)