HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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サファイヤ基板上HVPE成長により{11-22}面GaN層の作製を試みた。2インチm面サファイヤ基板上に、MOCVD法によりGaN(1μm)/高温AlNバッファ(40nm)層構造を形成し、その上に厚さ約25μmのHVPE-GaN層を成長した。GaN{11-22}XRC測定の結果、X線をGaNのm軸に平行入射して測定したFWHMは、m軸垂直入射のFWHM(約500arcsec)より広かった。このm軸平行入射のFWHMは、c軸方向オフm面サファイヤ基板の使用や、GaN層のm軸に平行なストライプマスクを用いた選択横方向成長により改善されることがわかった。さらに、HVPE-GaN層の厚さを約700μmまで増加し、{11-22}面GaN自立結晶を得た。
- 2009-11-12
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