碓井 彰 | 古河機械金属株式会社ナイトライド事業室

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• 平田 祥子

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• 別所 公博

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• 碓井 彰

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• 柏木 隆成

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著作論文

• HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• 22pPSA-64 FeをドープしたGaN薄膜のESR(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• GaN自立基板を用いた縦型ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• III-V族化合物半導体エピタキシャル膜製造装置の開発
• III族窒化物半導体結晶の進展(第5章 最近10年の結晶成長の動き,日本結晶成長学会創立30周年記念)

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