GaN自立基板を用いた縦型ダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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2インチn型GaN自立基板上にMOCVD法を用いてGaNエピタキシャル成長した基板を使用し、縦型のショットキーバリアダイオード(SBD)を作成し特性評価を行った。使用したGaN自立基板の特性は、基板の厚さは400μm、比抵抗は≦2×10^<-2>Ωcmである。エピタキシャル成長したn^-GaNの厚さは7μm、キャリア濃度は8×10^<15>cm^<-3>である。作成したフィールドプレート構造を持たないSBDのDC特性として、特性オン抵抗(R_<on>A)が2mΩcm^2、オフ耐圧は546Vを得た。電流コラプスの影響もほとんど無く、温度特性も良好だった。
2010-11-04

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