AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
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概要
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AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)に対するAlNを用いた表面パッシベーションの検討を行った. AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるパッシベーション膜形成では,プロセスダメージによるチャネルシート抵抗の増大が観測される.しかしながら,このダメージはその後の窒素雰囲気中アニールで回復できることがわかった.この結果得られたデバイスでは,AlNが厚いほどドレイン電流と相互コンダクタンスが増加し,高い電圧印加時におけるドレイン電流減少が抑制されることがわかった.このことは,AlNが表面パッシベーション効果のみならず,放熱特性の向上をもたらしていることを示している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-08
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