InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO_2/Siウェハへのvan der Waals貼付(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
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概要
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分子線エピタキシー法によって成長したInAsトップ層/AlAs犠牲層/InAsバッファ層/GaAs(001)格子不整ヘテロ構造を用いて,InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフ(epitaxial lift-off; ELO),すなわち,AlAs犠牲層選択エッチングによるトップInAs薄膜の分離,および,そのSiO_2/Siウェハ上へのvan der Waals貼付(van der Waals bonding; VWB)を検討した.ELOプロセスの容易さのためには,ある程度の厚さのAlAs犠牲層が必要であるが,厚いAlAs犠牲層は,AlAsとInAsの格子不整に起因したトップInAs薄膜の結晶性の低下をもたらす.そこで,ELOの容易さとInAs薄膜の結晶性とのトレードオフに関する知見を明らかにした上で,ELOおよびVWBを実現した,得られたSiO_2/Siウェハ上のInAs薄膜は,高い電子移動度を示し,良好な電気伝導特性が確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-08
著者
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
-
滝田 隼人
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
-
有田 潤哉
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
Jeong Yonkil
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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滝田 隼人
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
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