SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
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概要
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サファイア基板上のAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに対して,AlN単層,SiN単層,さらにSiN超薄膜/AlN積層構造による表面パッシベーションを検討した.AlN単層パッシベーションは,放熱特性向上によって高ドレイン電圧におけるドレイン電流の減少を抑制するが,オフ特性・サブスレショルド特性を大きく劣化させる.一方,SiN単層パッシベーションは,放熱特性向上には有効ではないが,オフ特性・サブスレショルド特性を低下させない.SiN/AlN積層パッシベーションでは,オフ特性・サブスレショルド特性を低下させることなくAlNの放熱効果をある程度利用できることが示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-06
著者
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
-
河合 弘治
株式会社パウデック
-
田中 成明
北陸先端科学技術大学院大学
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
-
住田 行常
株式会社パウデック
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