田中 成明 | 北陸先端科学技術大学院大学
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概要
関連著者
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田中 成明
北陸先端科学技術大学院大学
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
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工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学
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滝田 隼人
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
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河合 弘治
株式会社パウデック
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滝田 隼人
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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住田 行常
株式会社パウデック
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山本 研吾
株式会社パウデック
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YONKIL Jeong
北陸先端科学技術大学院大学
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住田 行常
株式会社 パウデック
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河合 弘治
株式会社 パウデック
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鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
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工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
著作論文
- AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- エピタキシャルリフトオフ-貼付によって形成した異種材料基板上の狭ギャップ化合物半導体薄膜
- C-10-23 エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるPET基板上高電子移動度InAs(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- C-10-16 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタのサブスレショルドスロープ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおけるサブスレショルド特性のゲート電極依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- エピタキシャルリフトオフ-van der Waals 貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積
- SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション