工藤 昌宏 | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
-
工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
-
工藤 昌宏
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
滝田 隼人
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
滝田 隼人
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学
-
田中 成明
北陸先端科学技術大学院大学
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
TRINH Thanh
北陸先端科学技術大学院大学
-
SCHAPERS Thomas
ユーリッヒ研究所
-
HARDTDEGEN Hilde
ユーリッヒ研究所
-
橋本 紀彦
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
YONKIL Jeong
北陸先端科学技術大学院大学
-
Shih Hong-an
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
SHIH Hong-An
北陸先端科学技術大学院大学
著作論文
- InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- エピタキシャルリフトオフ-貼付によって形成した異種材料基板上の狭ギャップ化合物半導体薄膜
- C-10-23 エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるPET基板上高電子移動度InAs(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl_2O_3原子層堆積における表面前処理の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)