フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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概要

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• 格子不整成長した狭ギャップ化合物半導体のエピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付(van der Waals bonding; VWB)に基づき,フレキシブル基板上InAs超薄膜を形成した.順/逆VWB,および貼付後のウエットエッチングによるInAsデバイス層活性領域の薄層化を検討しつつ,膜厚〜100nmで〜10000cm^2/V-s,膜厚&Isim;20nmという超薄膜においても〜7000cm^2/V-sという極めて高い電子移動度を有する,フレキシブル基板上InAs Hallバーデバイスを実現した.この電子移動度は,フレキシブル基板上薄膜としても,InAs薄膜としても,これまでで最高の値である.

• 2010-06-10

著者

• 赤堀 誠志

  北陸先端大ナノセンター

• 鈴木 寿一

  北陸先端科学技術大学院大学

• 赤堀 誠志

  北陸先端科学技術大学院大学

• 工藤 昌宏

  北陸先端科学技術大学院大学

• 滝田 隼人

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 橋本 紀彦

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 赤堀 誠志

  北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所

• 鈴木 寿一

  北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ

• 赤堀 誠志

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 工藤 昌宏

  北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター

• 滝田 隼人

  北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター

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