GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は, GaAs(110)および(112)Bマスク基板上の領域選択分子線成長(SA-MBE)を用いて,面内配向InAsナノワイヤ(NW)の試作を行った.さらに,試作した面内配向NWの電気的評価を行うため,通常の電子線リソグラフィーを用いて,平面型ナノワイヤ電界効果トランジスタ(NWFET)の作製を行った.室温においてNWFETの出力および伝達特性の測定を行い,完全にはオフしないもののドレイン電流のゲート電圧による変調を確認するとともに,(110)上で150cm^2/V-sおよび(112)B上で70cm^2/V-sとなる電界効果移動度のピークを確認した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-01
著者
関連論文
- フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価 (電子デバイス)
- InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- GaAs(001)基板上のInGaSb/InAlSbヘテロ接合における二次元電子ガス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 原子間力顕微鏡用GaAs/セラミックス複合型カンチレバーの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 半導体1次元構造におけるスピン軌道相互作用に関連したスピン伝導(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
- P1-54 ピコ秒超音波法によるGaAs中光励起キャリアの超高速ダイナミクス(ポスターセッション1(概要講演))
- 24aE-13 Auナノ微粒子の磁気モーメントの粒径依存性
- 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 領域4「Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望」(2005年秋季大会シンポジウムの報告)
- GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl_2O_3原子層堆積における表面前処理の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用
- 非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 3a-YF-6 GdNiSnの磁気抵抗効果II(3aYF 磁性(f電子系),磁性)
- GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)