高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2008-06-06
著者
-
新田 峻介
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
崔 賢光
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
新田 峻介
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
関連論文
- GaAs(001)基板上のInGaSb/InAlSbヘテロ接合における二次元電子ガス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 原子間力顕微鏡用GaAs/セラミックス複合型カンチレバーの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 半導体1次元構造におけるスピン軌道相互作用に関連したスピン伝導(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
- 24aE-13 Auナノ微粒子の磁気モーメントの粒径依存性
- 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 領域4「Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望」(2005年秋季大会シンポジウムの報告)
- 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用
- 非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 3a-YF-6 GdNiSnの磁気抵抗効果II(3aYF 磁性(f電子系),磁性)
- GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)