GaAs(001)基板上のInGaSb/InAlSbヘテロ接合における二次元電子ガス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-02
著者
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学
-
佐藤 拓
JAIST
-
佐藤 拓
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端大ナノセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学 新素材センター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
関連論文
- 23aHW-5 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴II(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-4 InGaAs2次元電子ガス系新構造におけるスピン注入(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-3 ダブルドープした高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ構造の電子輸送特性(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-6 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価 (電子デバイス)
- InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 20aTA-13 InGaSb/InAlSbヘテロ接合のマイクロ波および遠赤外光伝導(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- GaAs(001)基板上のInGaSb/InAlSbヘテロ接合における二次元電子ガス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 28pXB-11 傾斜磁場を用いたInGaSb-2DEGのスピン分裂の評価とその起源(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXB-10 浅いInGaAs/InAlAs逆HEMT構造におけるゼロ磁場スピン軌道相互作用(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-68 InGaSb/InAlSbヘテロ接合中の2次元電子の遠赤外磁気光吸収(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-6 浅いIn_Ga_As/In_Al_As逆HEMT構造におけるRashbaスピン軌道相互作用(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-8 高In組成InGaSb/InAlSb系2DEGにおけるスピン分裂(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-7 高In組成InGaAs/InA1Asヘテロ接合細線におけるRashba相互作用のサイドゲートによる制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 化合物半導体の先端研究動向 (特集1 化合物半導体の開発・応用動向)
- フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 21aYC-7 狭ギャップヘテロ接合2次元電子ガスチャネルにおけるRashbaスピン軌道相互作用のサイドゲート制御(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 原子間力顕微鏡用GaAs/セラミックス複合型カンチレバーの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 13aYB-8 NiFe/InGaAs 接合を有する二端子素子のスピン伝導特性(半導体スピン物性, 領域 4)
- 13aYB-5 サイドゲートを用いた高 In 組成 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるスピン-軌道相互作用の制御(半導体スピン物性, 領域 4)
- 20pTL-4 InAs/In_Al_As 変調ドープヘテロ構造を利用した NiFe/2DEG 接合のスピン伝導特性
- 20pTL-3 高 In 組成 InGaAs/InAlAs 拡散的細線における Rashba effect
- 半導体1次元構造におけるスピン軌道相互作用に関連したスピン伝導(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
- 28aZK-8 In_Ga_As/In_Al_As ヘテロ接合擬一次元構造におけるスピン依存伝導
- エピタキシャルリフトオフ-貼付によって形成した異種材料基板上の狭ギャップ化合物半導体薄膜
- C-10-23 エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるPET基板上高電子移動度InAs(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- P1-54 ピコ秒超音波法によるGaAs中光励起キャリアの超高速ダイナミクス(ポスターセッション1(概要講演))
- 28aYF-2 ピコ秒フォノンパルスで見る GaAs エアギャップ構造中の超高速キャリアダイナミクス
- 24aE-13 Auナノ微粒子の磁気モーメントの粒径依存性
- 26aWQ-6 InGaAs/InAlAs 2層2次元電子ガス系試料の極低温伝導面内異方性と構造解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26aWQ-5 InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pRP-4 狭ギャップ2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と2層系の物理(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-8 大きいスピン軌道相互作用を示す高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガスの異方的面内伝導(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYK-7 高In組成InGaAs/IhAlAs逆ヘテロ接合におけるRashba効果のInAlAs cap依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYK-6 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるRashba効果の界面歪み依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 25pRP-4 狭ギャップ2次元電子ガスにおけるスピン軌道相互作用の競合と2層系の物理(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
- C-10-16 AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタのサブスレショルドスロープ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 半導体ヘテロ接合変調ドープ構造, 及び共鳴トンネル構造へのスピン注入
- GaAs基板上InGaAsメタモルフィックHEMT作製と特性のIn組成依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 21pWF-1 Rashbaスピン工学への実験的アプローチ(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 領域4「Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望」(2005年秋季大会シンポジウムの報告)
- InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO_2/Siウェハへのvan der Waals貼付(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価
- MOVPE選択成長による量子ナノ構造の形成とそのデバイス応用 : 技術研究報告形式
- MOVPE法におけるGaAs微傾斜基板上へのSiの選択的ドーピングの可能性
- 多段原子ステップを用いた電子波干渉素子
- 28aZK-9 Ni エミッタ、非対称量子井戸をもつ共鳴トンネル構造における電流ピーク分裂と振動
- AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおけるサブスレショルド特性のゲート電極依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果 (電子デバイス)
- 26aHD-9 温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHD-8 CoFe電極を用いた高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入実験(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-7 非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-10 InGaAs 2次元電子系のテラヘルツサイクロトロン共鳴(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-9 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系の層毎のスピン軌道相互作用と電子有効質量の解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl_2O_3原子層堆積における表面前処理の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- エピタキシャルリフトオフ-van der Waals 貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積
- SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション
- 27aCE-7 非局所配置によるInGaAs-二次元電子系へのスピン注入検証(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aCE-9 強いRashba効果を示すInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用
- 21pFB-1 InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-6 GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pFB-3 強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pFB-2 高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 29aXL-6 Rashba型スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス2層系における整数量子ホール効果(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXL-7 高In組成InGaAs2次元電子2層系のサブバンド輸送特性(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 3a-YF-6 GdNiSnの磁気抵抗効果II(3aYF 磁性(f電子系),磁性)
- スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 27aAW-7 InGaAs2次元電子ガス2層系における量子ホール効果(27aAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))