28pXB-10 浅いInGaAs/InAlAs逆HEMT構造におけるゼロ磁場スピン軌道相互作用(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
山田 省二
北陸先端大ナノセ
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大学
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鈴木 寿一
北陸先端大ナノセンター
-
Choi Hyonkwan
北陸先端大ナノセンター
-
Choi H.
北陸先端大ナノセンター
-
山田 省二
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
鈴木 寿一
北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
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赤堀 誠志
北陸先端大ナノセ
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端大、新素材センター
-
山田 省二
北陸先端大
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