23pL-10 In(0.75)Ga(0.25)As/In(0.75)Al(0.25)As順方向2次元電子ガスにおけるスピン軌道結合定数のゲート電圧依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
山田 省二
北陸先端大ナノセ
-
牛頭 信一郎
北陸先端大
-
佐藤 祐喜
Center For New Material Japan Advanced Institute Of Science And Technology
-
佐藤 祐喜
北陸先端大材料
-
菊谷 友志
北陸先端大材料
-
午頭 信一郎
北陸先端大材料
-
牛頭 信一郎
NICT
-
菊谷 友志
北陸先端大・材料
-
牛頭 信一朗
北陸先端大
-
山田 省二
北陸先端大、新素材センター
-
佐藤 祐喜
北陸先端大、新素材センター
-
山田 省二
北陸先端大
-
菊谷 友志
北陸先端大
関連論文
- 23aHW-5 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴II(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-4 InGaAs2次元電子ガス系新構造におけるスピン注入(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-3 ダブルドープした高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ構造の電子輸送特性(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-6 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXG-5 Rashba効果を示すInGaAs/InAlAs 2次元電子ガスの強磁場下磁気抵抗(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
- 20aTA-13 InGaSb/InAlSbヘテロ接合のマイクロ波および遠赤外光伝導(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28pXB-11 傾斜磁場を用いたInGaSb-2DEGのスピン分裂の評価とその起源(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXB-10 浅いInGaAs/InAlAs逆HEMT構造におけるゼロ磁場スピン軌道相互作用(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-68 InGaSb/InAlSbヘテロ接合中の2次元電子の遠赤外磁気光吸収(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-6 浅いIn_Ga_As/In_Al_As逆HEMT構造におけるRashbaスピン軌道相互作用(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-8 高In組成InGaSb/InAlSb系2DEGにおけるスピン分裂(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-7 高In組成InGaAs/InA1Asヘテロ接合細線におけるRashba相互作用のサイドゲートによる制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 化合物半導体の先端研究動向 (特集1 化合物半導体の開発・応用動向)
- 27aYS-2 In_Ga_As/In_Al_As2次元電子ガスにおけるスピン分裂の磁場依存性
- 27aYS-1 NiFe-In_ Ga_ As/In_ Al_ As界面におけるスピン注入
- 23pSA-1 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系のスピン分裂におけるヘテロ界面依存性
- 23pL-11 In_Ga_As/In_Al_Asヘテロ接合2次元電子ガスの有効g値
- 23pL-10 In(0.75)Ga(0.25)As/In(0.75)Al(0.25)As順方向2次元電子ガスにおけるスピン軌道結合定数のゲート電圧依存性
- 27pD-3 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス系のスピン分裂の異方性
- 27pD-2 共鳴トンネル構造によるIn_xGa_As(x≥0.5)におけるスピン分離の観測
- 30p-ZE-14 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系のスピン分裂
- 29p-ZE-2 強磁性体電極InGaAs/InAlAs FETの基本特性
- GdNiSnの磁場誘気起相転移と磁気抵抗
- 27pYB-10 Pt超微粒子の粒径依存ESR
- 27pYB-9 ESRによるナノ微粒子Pd/Niの表面と内部の磁性研究
- 22pYD-1 Pt微粒子のESR
- 22pYB-12 白金微粒子の磁化の粒径依存性
- 21aYC-7 狭ギャップヘテロ接合2次元電子ガスチャネルにおけるRashbaスピン軌道相互作用のサイドゲート制御(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 13aYB-8 NiFe/InGaAs 接合を有する二端子素子のスピン伝導特性(半導体スピン物性, 領域 4)
- 13aYB-5 サイドゲートを用いた高 In 組成 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるスピン-軌道相互作用の制御(半導体スピン物性, 領域 4)
- 20pTL-4 InAs/In_Al_As 変調ドープヘテロ構造を利用した NiFe/2DEG 接合のスピン伝導特性
- 20pTL-3 高 In 組成 InGaAs/InAlAs 拡散的細線における Rashba effect
- 28aZK-8 In_Ga_As/In_Al_As ヘテロ接合擬一次元構造におけるスピン依存伝導
- 29pYF-2 InGaAs/InAlAsヘテロ接合試料のマイクロ波応答(半導体スピン物性)(領域4)
- 20pTL-2 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料のマイクロ波吸収測定
- 28aZK-7 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料におけるゼロ磁場スピン分離の光によるコントロール
- 19aTA-3 低磁場下におけるInGaAs/InAlAsヘテロ接合のマイクロ波光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aYC-9 InGaAs/InAlAsおよびGaAs/AlGaAsヘテロ接合におけるマイクロ波誘起磁気振動(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 31a-N-5 微小ホールをもつ量子細線におけるコンダクタンススイッチング
- 31a-N-5 微小ホールをもつ量子細線におけるコンダクタンススイッチング
- GalnAs/AllnAs系超格子の縦方向量子輸送における磁気トンネリングと電界ドメイン
- 31a-YL-3 GaInAs/AlInAs量子井戸構造におけるI-V特性と磁気トンネリング
- 22pYB-7 GaAs基板上Ni細線のESR測定
- 22aYB-9 Ni/GaAs薄膜のホール抵抗と磁気抵抗
- 25pSB-5 狭バンドギャップ非対称量子井戸層をもつ共鳴トンネル構造における零磁場スピン分裂の観測
- 23pL-9 In_Ga_Asを量子井戸層に用いた共鳴トンネル構造におけるスピン分離の観測 II
- 24aE-13 Auナノ微粒子の磁気モーメントの粒径依存性
- 23pE-14 GaAs基板上Ni細線のESR測定と磁化測定
- 23pE-13 Ni/GaAsにおける飽和磁気モーメントの温度依存性
- 30p-ZF-5 Ni/InGaAsハイブリッド微細構造の輸送特性
- 25p-YG-6 狭バンドギャップHEMTを用いた強磁性体ドット埋め込み構造における電気伝導特性
- 25p-YG-6 狭バンドギャップHEMTを用いた強磁性体ドット埋め込み構造における電気伝導特性
- 7a-N-12 GaAs/Ge二重障壁接合における正孔の低温伝導特性
- 7a-N-6 磁性ドット埋め込み構造の磁気力顕微鏡(MFM)解析及び、電気伝導特性
- 28pYF-10 GaAs/AlGaAsおよびInGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス(量子井戸・超格子)(領域4)
- 20pTH-14 GaAs/AlGaAs および InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス
- 27aYS-3 In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ接合中の電子の遠赤外磁気光吸収
- 26a-YE-3 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガスのスピン分裂
- 26a-YE-2 高In組成In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ構造2次元
- 26aWQ-6 InGaAs/InAlAs 2層2次元電子ガス系試料の極低温伝導面内異方性と構造解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26aWQ-5 InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aZC-9 半導体量子ポイントコンタクトにおける電子間相互作用(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-8 大きいスピン軌道相互作用を示す高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガスの異方的面内伝導(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYK-7 高In組成InGaAs/IhAlAs逆ヘテロ接合におけるRashba効果のInAlAs cap依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYK-6 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるRashba効果の界面歪み依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 8a-S-2 MBE成長non-dope GaAs薄膜の不純物と補償比の評価
- 30p-X-8 AlAs量子井戸中Xバンド電子の永続光電流と量子ホール効果
- 30p-R-7 GaInAs/AlInAs多重量子井戸縦方向I-V特性への磁場効果
- 26p-YJ-8 超微粒子磁性体Pdの磁化測定
- 28a-PS-114 GaAs基板上Ni薄膜の準1次元、2次元磁性体
- 26p-YJ-7 GaAs基板上Ni細線のMFM観察
- 31p-Z-12 半導体上微小磁性体の観察と磁気伝導II
- 31p-Z-11 Niドットを蒸着したGaAs表面磁気伝導特性
- 7a-YG-10 半導体上微小磁性体の観察と磁気伝導
- 7a-N-6 磁性ドット埋め込み構造の磁気力顕微鏡(MFM)解析及び、電気伝導特性
- 31a-Q-8 超微細構造を持つFETの磁性と磁気伝導
- 磁性量子ドットをもつ細線の伝導特性II
- マイクロ細線の磁気伝導特性
- 磁性量子ドットをもつ細線の伝導特性II
- 29p-J-9 GaAs基板上強磁性細線の磁気ドメインと磁気抵抗効果
- 31p-Y-14 合金超微粒子Pd/Niの電子スピン共鳴
- 2a-YE-9 金属超微粒子Pd/Ni系の非線形電子スピン共鳴
- 6a-YG-4 金属超微粒子Pd/Ni系のESR
- 8a-YG-13 EuTe/Ni複合膜の成膜条件と磁気伝導
- 6a-YK-11 TbNiSn単結晶のメタ磁性転移と巨大磁気抵抗効果
- 29p-G-5 金属超微粒子の磁化と電子スピン共鳴II
- 30p-Q-1 NSNトンネル接合の量子輸送II
- 28p-P-11 GdNiSn単結晶の磁場誘起相転移と磁気抵抗効果
- 金属超微粒子の磁化と電子スピン共鳴
- 21pWF-1 Rashbaスピン工学への実験的アプローチ(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 領域4「Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望」(2005年秋季大会シンポジウムの報告)
- 特別記事 北陸先端科学技術大学院大学における先端的ナノテクノロジー研究(最終回)ナノフィジックス
- 29pYS-9 ゼロ磁場スピン分裂を示す2次元電子系における非局所伝導
- 29pYS-9 ゼロ磁場スピン分裂を示す2次元電子系における非局所伝導
- 26aC-7 逆HEMT2次元電子系におけるフォーカス効果と平行磁場
- 24pYQ-13 Pd, Au微粒子のスピン偏極と相関
- 25aZJ-13 有機超伝導体κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の局所磁化測定
- 24aYP-13 有機超伝導体k-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の磁束融解転移
- 25a-YG-10 Ge/(Al)GaAsヘテロバレント二重障壁接合の伝導特性