午頭 信一郎 | 北陸先端大材料

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概要

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関連著者

• 山田 省二

  北陸先端大ナノセ

• 菊谷 友志

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• 午頭 信一郎

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  NICT

• 菊谷 友志

  北陸先端大・材料

• 牛頭 信一朗

  北陸先端大

• 山田 省二

  北陸先端大

• 菊谷 友志

  北陸先端大

• 山田 省二

  北陸先端大、新素材センター

• 牛頭 信一郎

  北陸先端大

• 佐藤 祐喜

  Center For New Material Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• 佐藤 祐喜

  北陸先端大材料

• 佐藤 祐喜

  北陸先端大、新素材センター

• 堀 秀信

  北陸先端大

• 青木 伸之

  北陸先端大材料

• 青木 伸之

  北陸先端大

• 青木 伸之

  千葉大工

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著作論文

• 23pL-10 In(0.75)Ga(0.25)As/In(0.75)Al(0.25)As順方向2次元電子ガスにおけるスピン軌道結合定数のゲート電圧依存性
• 27pD-3 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス系のスピン分裂の異方性
• 27pD-2 共鳴トンネル構造によるIn_xGa_As(x≥0.5)におけるスピン分離の観測
• 30p-ZE-14 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系のスピン分裂
• 29p-ZE-2 強磁性体電極InGaAs/InAlAs FETの基本特性
• 25pSB-5 狭バンドギャップ非対称量子井戸層をもつ共鳴トンネル構造における零磁場スピン分裂の観測
• 23pL-9 In_Ga_Asを量子井戸層に用いた共鳴トンネル構造におけるスピン分離の観測 II
• 30p-ZF-5 Ni/InGaAsハイブリッド微細構造の輸送特性
• 25p-YG-6 狭バンドギャップHEMTを用いた強磁性体ドット埋め込み構造における電気伝導特性
• 25p-YG-6 狭バンドギャップHEMTを用いた強磁性体ドット埋め込み構造における電気伝導特性

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