佐藤 祐喜 | Center For New Material Japan Advanced Institute Of Science And Technology
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概要
関連著者
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佐藤 祐喜
Center For New Material Japan Advanced Institute Of Science And Technology
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佐藤 祐喜
同志社大学理工学部
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佐藤 祐喜
科学技術振興機構 Crest
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吉門 進三
同志社大学工学部電気工学教室
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吉門 進三
同志社大学理工学部
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佐藤 祐喜
同志社大学大学院工学研究科
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吉門 進三
同志社大学 理工学部
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吉門 進三
同志社大学
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吉門 進三
同志社大学工学部
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堺 健司
岡山大学自然科学研究科
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山田 省二
北陸先端大ナノセ
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牛頭 信一郎
NICT
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堺 健司
同志社大学大学院工学研究科
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牛頭 信一朗
北陸先端大
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山田 省二
北陸先端大
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牛頭 信一郎
北陸先端大
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佐藤 祐喜
北陸先端大材料
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山田 省二
北陸先端大、新素材センター
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佐藤 祐喜
北陸先端大、新素材センター
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菊谷 友志
北陸先端大材料
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菊谷 友志
北陸先端大・材料
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菊谷 友志
北陸先端大
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午頭 信一郎
北陸先端大材料
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森 隆
科学技術振興機構 Crest:奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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佐藤 祐喜
科学技術振興機構CREST
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河口 仁司
科学技術振興機構CREST
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河口 仁司
山形大工
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河口 仁司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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北 智洋
北陸先端大材料
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高田 雅之
同志社大学理工学部
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福盛 愛
同志社大学理工学部
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関 陽
同志社大学大学院工学研究科
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北 智洋
東北大通研
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和田 陽一
同志社大学理工学部
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本郷 友貴
同志社大学大学院工学研究科
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吉門 進三
同志社大学大学院工学研究科
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堺 健司
岡山大学大学院 自然科学研究科
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北 智洋
北陸先端大、新素材センター
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秋山 雄司
同志社大学理工学部
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堺 健司
岡山大学大学院自然科学研究科
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佐藤 裕喜
北陸先端大材料
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渡邉 高行
同志社大学理工学部
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堀 秀信
北陸先端大
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山吉 康弘
山形大学工学部電気電子工学科
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古賀 貴亮
日本電信電話NTT物性研
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新田 淳作
日本電信電話NTT物性研
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Schapers Th.
Institut fur Schichten und Grenzflachen, Forshungszentrum Julich, Germany
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Heersche H.
Department of Applied Physics, University of Groningen, The Netherlands
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高柳 英明
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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海老名 功
北陸先端大材料
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上道 裕太
同志社大学大学院工学研究科
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渡邊 高行
同志社大学大学院工学研究科
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山吉 康弘
山形大工
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Heersche H.
Department Of Applied Physics University Of Groningen The Netherlands
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Heersche H.
Department Of Applied Physics And Material Research Center University Of Groningen
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Schapers Th.
Institut Fur Schichten Und Grenzflachen Forshungszentrum Julich Germany
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Schapers Th.
Institut Fur Schichten Und Grenzflachen Forschungszentrum Julich
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新田 淳作
Ntt物性科学基礎研究所
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伊東 一篤
同志社大学理工学部電子工学科
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足立 基齊
同志社大学理工学部電子工学科
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足立 基齊
同志社大学工学部界面現象研究センター
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山吉 康弘
山形大院
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新田 淳作
日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
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佐藤 祐喜
岡山大学大学院自然科学研究科
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吉門 進三
岡山大学大学院自然科学研究科
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久保田 匠
同志社大学大学院工学研究科
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高柳 英明
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
著作論文
- Sb_2O_3添加ZnOバリスタの課電劣化に対する耐性への熱処理効果
- B-12-1 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた10Gb/s光バッファメモリ(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- C-4-4 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた光シフトレジスタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-28 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた2ビット光バッファメモリ(光信号処理・波長変換,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-5 偏光双安定面発光半導体レーザを用いた1ビット光バッファメモリ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 18aYG-6 半導体局所ホール効果を用いた微小強磁性体電極の評価
- 27aYS-2 In_Ga_As/In_Al_As2次元電子ガスにおけるスピン分裂の磁場依存性
- 27aYS-1 NiFe-In_ Ga_ As/In_ Al_ As界面におけるスピン注入
- 23pSA-1 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系のスピン分裂におけるヘテロ界面依存性
- 23pL-11 In_Ga_As/In_Al_Asヘテロ接合2次元電子ガスの有効g値
- 23pL-10 In(0.75)Ga(0.25)As/In(0.75)Al(0.25)As順方向2次元電子ガスにおけるスピン軌道結合定数のゲート電圧依存性
- 27pD-3 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス系のスピン分裂の異方性
- 27pD-2 共鳴トンネル構造によるIn_xGa_As(x≥0.5)におけるスピン分離の観測
- 30p-ZE-14 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系のスピン分裂
- 29p-ZE-2 強磁性体電極InGaAs/InAlAs FETの基本特性
- ZrおよびY添加のZnOバリスタの課電劣化への影響
- B-4-29 アルミニウム,ポリスチレン複合電磁波吸収体のアルミニウム粒子の粒径分布による吸収特性制御(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-40 アルミニウム微粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合体の複素比透磁率制御と電磁波吸収体への応用(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-35 センダスト,ポリスチレン複合電磁波吸収体のセンダスト粒子形状による吸収特性の変化(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-34 銅微粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- ZrO_2添加のZnOバリスタの耐課電劣化特性への影響に関する研究
- 酸化チタンナノ粒子を用いた電気泳動法による酸化チタン薄膜の作製
- B-4-33 センダスト粒子,アルミニウム粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-40 センダストを分散させた複合電磁波吸収体のセンダスト粒径依存性(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-42 アルミニウム微粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- エアロゾルデポジッション法によるアルミナ膜の形成と評価 (第47回同志社大学理工学研究所研究発表会 2009年度学内研究センター合同シンポジウム 講演予稿集)
- Zr,Y,Sb添加のZnOバリスタの課電劣化への影響
- Bi系ZnOバリスタへのBa添加によるZnO粒成長と電気特性への影響
- B-4-47 センダスト粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体の吸収周波数の広帯域化(B-4. 環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-52 センダスト粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体の複素比透磁率の制御(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-58 複数粒子径のセンダストをポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-2 複数粒子径のセンダストをポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体(B-4.環境電磁工学,一般セッション)