高柳 英明 | 日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所

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概要

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関連著者

• 高柳 英明

  日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所

• 高柳 英明

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 齊藤 志郎

  NTT物性基礎研

• 中ノ 勇人

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 斎藤 志郎

  日本電信電話株式会社ntt物性基礎研:科技団crest

• 田中 弘隆

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 田中 弘隆

  Ntt Brl

• 古賀 貴亮

  日本電信電話NTT物性研

• 新田 淳作

  日本電信電話NTT物性研

• 齊藤 志郎

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 高柳 英明

  Ntt通研

• 高柳 英明

  Ntt電気通信研究所

• 佐藤 祐喜

  Center For New Material Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• Schapers Th.

  Institut fur Schichten und Grenzflachen, Forshungszentrum Julich, Germany

• Heersche H.

  Department of Applied Physics, University of Groningen, The Netherlands

• Heersche H.

  Department Of Applied Physics University Of Groningen The Netherlands

• Heersche H.

  Department Of Applied Physics And Material Research Center University Of Groningen

• Schapers Th.

  Institut Fur Schichten Und Grenzflachen Forshungszentrum Julich Germany

• Schapers Th.

  Institut Fur Schichten Und Grenzflachen Forschungszentrum Julich

• 新田 淳作

  Ntt物性科学基礎研究所

• 川上 剛司

  NTT電気通信研究所

• 川上 剛司

  武蔵野電気通信研究所

• 新田 淳作

  日本電信電話(株)物性科学基礎研究所

• 川上 剛司

  日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所

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著作論文

• 18aYG-6 半導体局所ホール効果を用いた微小強磁性体電極の評価
• 超伝導の磁束状態を用いた量子ビットの状態測定
• 28aYH-10 微小ジョセフソン接合 SQUID による磁束量子ビット測定における電流値の揺らぎに関する考察
• 4a-L-10 高移動度n-InAsを用いたジョセフソン素子
• 1a-D2-4 InAs反転層の超伝導近接効果(1a D2 半導体(表面界面・超格子),半導体)

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