超伝導の磁束状態を用いた量子ビットの状態測定
スポンサーリンク
概要
著者
-
齊藤 志郎
NTT物性基礎研
-
齊藤 志郎
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
中ノ 勇人
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
-
高柳 英明
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
斎藤 志郎
日本電信電話株式会社ntt物性基礎研:科技団crest
-
田中 弘隆
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
田中 弘隆
Ntt Brl
-
高柳 英明
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
関連論文
- 21pHW-5 自己形成InAs量子ドットを接合に用いたSQUIDの研究(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pHY-9 マイクロ波照射下における超格子構造の付加した超伝導体-半導体-超伝導体接合の輸送特性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aHW-8 超伝導磁束量子ビットを介した共振器と二準位fluctuatorの結合(20aHW 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pHY-8 超伝導発光ダイオード構造の直流輸送特性による発光再結合のモニタリング(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 24pRG-10 非調和振動子による量子ビット読み出しの量子古典対応とデコヒーレンスII(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 超伝導回路で共振器量子電磁力学実験が可能に! : ジョセフソンcavity-QED(最近の研究から)
- 18aRC-8 超伝導磁束量子ビットによるLC共振回路の非古典的状態の生成(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXJ-4 ジョセフソンLC回路を介した超伝導量子ビット間の量子ゲート(24aXJ 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aXC-3 磁束量子ビットの縮退点近傍でのコヒーレンス時間(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
- 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pYA-2 超伝導発光ダイオード構造の直流電気特性(超伝導・電荷密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 超伝導体/希薄磁性半導体接合の輸送特性(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
- 29pZP-1 NbN/多層カーボンナノチューブ接合におけるキャリア輸送特性 : 朝永-ラッティンジャー液体的振る舞いと超伝導の相関(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 23aXF-3 多層カーボンナノチューブにおける近接効果超伝導電流
- 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXG-11 p-InMnAs/n-InAs/Nb構造におけるスピン偏極電流の注入と検出(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27aVE-10 超伝導磁束量子ビットにおけるテレグラフノイズの分光分析(27aVE 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aWF-10 環境と結合した超伝導磁束量子ビットのラビ振動(微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pYT-10 超伝導磁束量子ビットにおける多光子ラビ振動の観測(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27aYD-7 超伝導リングにおける巨視的量子重ね合わせの実現(超伝導)(領域6)
- 28aYA-3 超伝導磁束量子状態を用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
- 27pYG-15 巨視的重ね合わせ状態間の多光子吸収過程(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
- 21aTL-1 超伝導磁束量子ビットの読み出しの温度依存性
- 28aYH-6 超伝導磁束量子ビットのスペクトロスコピー
- 超伝導の磁束状態を用いた量子ビットの状態測定
- 17pTB-1 3つのジョセフソン接合を用いた超伝導磁束量子ビットにおけるエンタングルメント状態実現方法
- 24pK-6 異方的な近接効果接合配列におけるボルテックスのダイナミクス
- 28p-YG-4 近接効果接合配列における磁場中超伝導状態の異方性による変化
- 26pYT-11 2磁束ビット系における磁束のみの制御でBerry位相を検出する断熱過程(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27pYG-14 2つの磁束量子ビットにおけるエンタングルした状態のデコヒーレンス(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
- 12aTM-5 超伝導リングでの巨視 2 準位状態の位相測定(超伝導, 領域 6)
- 19aYH-3 DC-SQUIDにおけるリトラッピング電流の磁場依存性
- 19aRD-1 超伝導体・半導体接合の顕微光照射によるイメージング(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 19aTA-10 InAlAs/InGaAsヘテロ構造における負の光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pYL-3 超伝導・半導体接合への光照射効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
- 19aYH-4 メゾスコピックSNSジョセフソン接合における異常な超伝導電流の振る舞い
- 超伝導の量子ビットとその測定過程 : 実験に基づく理論(第48回物性若手夏の学校(2003年度),講義ノート)
- 19pYL-4 バリスティックInGaAs-based超伝導弱結合における多重Andreev反射による巨大熱雑音の観測(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 31a-Q-10 InGaAs/InAlAs系ヘテロ構造のスピン軌道相互作用
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ構造の磁気輸送特性
- InAs 層挿入 InAlAs/InGaAs 逆構造 HEMT を用いた JOFET の素子特性
- 28aYH-10 微小ジョセフソン接合 SQUID による磁束量子ビット測定における電流値の揺らぎに関する考察
- 29pTB-3 超伝導磁束量子干渉計(SQUID)における共鳴現象
- 19pRC-10 超伝導体/カーボンナノチューブ・ネットワーク系の輸送特性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30aXC-5 ジョセフソン非調和振動子による超伝導量子ビット読み出しの量子古典対応とデコヒーレンス(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXF-2 超伝導体/希薄磁性半導体接合への非平衡キャリア注入効果(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 18pYJ-13 量子ドット超格子における平坦バンド強磁性
- 18pYJ-12 プラケット型量子ドット超格子における超伝導の可能性
- 27pXD-3 超伝導量子ビット集団による共振器プラズモンの超放射の検討II(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pWJ-13 超伝導量子ビット集団による共振器プラズモンの超放射の検討(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pXG-1 デコヒーレンスのある量子共振器を媒介とした超伝導量子ビットエンタングルメント(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 30pXG-7 SQUIDのプラズマ振動数測定による磁束量子ビットの読み出しメカニズム(量子エレクトロニクス(量子コンピューター))(領域1)
- 18aYG-2 非弱局在解析によるInGaAs量子井戸における零磁場スピン分離の構造反転対称性依存の研究
- 27aYS-5 非弱局在現象を用いたInGaAs/InAlAsヘテロ界面でのスピン物性の解析と外部電場による制御
- 23pSA-2 In_Ga_As/InAlAsヘテロ構造における非局在現象の解析
- 17pYG-7 強磁場中における超伝導体/2次元電子ガス接合の輸送特性
- 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
- 2ゲート構造を用いた無反射トンネルの観測
- 26pYM-4 アンドレーエフ準粒子干渉計に対する静電効果
- 27aZC-8 励起子の量子シーソー効果 : 発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 25aYT-5 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYC-9 ゲート付き Be-δドープ GaAs 量子井戸発光の電子密度依存性 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)
- 量子コンピュータのハードウェア最前線(学生/教養のページ)
- 26pYM-2 超伝導ジョセフソン接合リングでの巨視的コヒーレンス
- 30p-A-8 メゾスコピックな強磁性金属の伝導度に現われる超伝導近接効果
- 2p-G-4 近接効果による伝導度補正に対する位相の量子揺らぎの影響
- 25aPS-69 トンネル型マイクロSQUID磁束計による光励起少数電子スピン観測システムの開発(25aPS-3 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aHD-11 InAsナノワイヤを用いた単一モード中の超伝導電流(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aEG-7 強磁性p-InMnAs上に形成したNb/n-InAs/Nb接合(26aEG 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 26aEG-6 NbNを用いた超伝導体-半導体-超伝導体接合の作製とその電気輸送特性(26aEG 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 13pYC-7 量子ドット列における調節可能な RKKY 交換相互作用(量子ドット : 理論, 領域 4)
- 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
- 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
- 25aK-7 半導体ドット列における強磁性
- 21pED-5 超伝導量子ビットを用いた量子ゼノン効果(21pED 量子エレクトロニクス(量子通信・量子情報・エンタングルメント・デコヒーレンス),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23aSA-11 長いコヒーレンス時間をもつ量子ビット作成の検討
- 24aK-7 帯電効果のある「超伝導体/常伝導体」微小接合におけるCooper対
- S-N-S接合におけるファブリー・ペロー干渉の研究
- 27p-X-12 S-N-S接合におけるファブリー・ペロー干渉の研究
- 5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
- 2p-YE-4 超伝導近接効果の非局所的計算
- 5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
- 1p-T-14 アンドレーエフ反射の第2量子化表示II
- 28p-P-3 アンドレーエフ反射の第2量子化表示
- 27a-B-6 アンドレーエフ反射で制御される準粒子干渉計
- 27p-W-11 Nb/InAs/Nb超伝導接合におけるサブギャップ構造
- 25a-ZB-8 n^+-GaAs/GaAs/InAs/Nb系のトンネル分光
- 超伝導磁束量子ビットとスピン集団のコヒーレント結合
- 20pFB-2 超伝導量子ビットで観測された量子ゼノ効果(20pFB 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBB-9 超伝導量子ビット・ダイヤモンド複合系におけるマイクロ波を用いた分光測定(理論)(量子エレクトロニクス(量子コンピューター・デコヒーレンス),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aBB-8 超伝導量子ビット・ダイヤモンド複合系におけるマイクロ波を用いた分光測定(実験)(量子エレクトロニクス(量子コンピューター・デコヒーレンス),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aBB-6 量子非破壊測定による量子測定の可視度の改善(量子エレクトロニクス(量子コンピューター・デコヒーレンス),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aCC-9 分散型量子計算における量子メモリの役割(27aCC 量子エレクトロニクス(量子コンピューター・超伝導),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))
- 27aCC-8 超伝導量子回路とスピンアンサンブルを用いた分散型量子計算機(27aCC 量子エレクトロニクス(量子コンピューター・超伝導),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))