InAs 層挿入 InAlAs/InGaAs 逆構造 HEMT を用いた JOFET の素子特性
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概要
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高い電子輸送特性を有し、電界効果による制御性に優れたInAs層挿入InAlAs/InGaAs逆構造HEMTを用いたジョセフソン電界効果トランジスタ(JOFET)を作製した。この素子は、従来のJOFETでは得られなかった超伝導臨界電流とノーマル抵抗の優れた制御性を有していることがわかった。さらに、極低温において、常伝導電流の制御性も通常のHEMT以上の特性を示すことがわかった。これらの結果から、このJOFETが超伝導電流を制御する超伝導接合にも常伝導電流を制御するHEMTにも成りうることが明らかになった。
- 1995-10-25
著者
-
赤崎 達志
NTT基礎研
-
榎木 孝知
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
高柳 英明
NTT基礎研究所
-
高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
-
新田 淳作
NTT基礎研究所
-
榎木 孝知
LSI研究所
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