新田 淳作 | NTT基礎研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
新田 淳作
NTT基礎研究所
-
高柳 英明
NTT基礎研究所
-
新田 淳作
Ntt物性科学基礎研究所
-
赤崎 達志
NTT基礎研
-
榎木 孝知
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
中ノ 勇人
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
-
中ノ 勇人
NTT基礎研究所
-
Meijer Frank
オランダフローニンゲン大学
-
CALVET Sebastien
フランス国立科学応用研究所
-
山本 真幸
物材機構
-
大槻 東巳
上智大理工
-
ホービング ボーク
フローニンゲン大学
-
大江 純一郎
ハンブルク大
-
山本 真幸
ハンブルク大
-
大江 純一郎
東北大金研:crest-jst
-
新田 淳作
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst
-
新田 淳作
東北大
-
榎木 孝知
LSI研究所
-
ボーク ホービング
フローニンゲン大学
-
ハンセン ヨーン
Nktリサーチセンタ
-
Hansen B.
Nktリサーチセンタ
-
Hansen B.jorn
Nktリサーチセンタ
-
Post N.van
クロニンゲン大(オランダ)
著作論文
- 6a-N-8 強磁性体電極による二次元電子ガスへの偏極スピン注入効果
- 26pZC-10 非一様スピン軌道相互作用によるスピン・フィルタリング(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 29a-ZB-4 InAs-ABリングにおけるスピン軌道相互作用の効果
- 29a-ZB-4 InAs-ABリングにおけるスピン軌道相互作用の効果
- 26a-YG-3 二次元電子ガスInAsを用いたABリングにおけるコンダクタンス振動
- 26a-YG-3 二次元電子ガスInAsを用いたABリングにおけるコンダクタンス振動
- 31a-Q-4 強磁性体/InAs二次元電子ガス/強磁性体構造における磁気抵抗
- 31a-Q-4 強磁性体/InAs二次元電子ガス/強磁性体構造における磁気抵抗
- 6a-N-8 強磁性体電極による二次元電子ガスへの偏極スピン注入効果
- 31a-Q-10 InGaAs/InAlAs系ヘテロ構造のスピン軌道相互作用
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ構造の磁気輸送特性
- InAs 層挿入 InAlAs/InGaAs 逆構造 HEMT を用いた JOFET の素子特性
- InGaAs/InAlAsヘテロ構造におけるスピン依存伝導現象
- 28a-L-13 S/N/S接合における巨視的量子トンネル効果
- 5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
- 5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
- 27p-W-11 Nb/InAs/Nb超伝導接合におけるサブギャップ構造
- 13p-D-11 S/N/S接合における最大超伝導電流の極低温下での特性
- 13p-D-12 S/N/S接合における最大超伝導電流の揺らぎ
- 28p-P-4 InGaAs/InAlAs系を用いたSNS接合における多重アンドレーエフ反射