InGaAs/InAlAsヘテロ構造におけるスピン依存伝導現象
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We confirmed that a spin-orbit interaction in an InGaAs/InAlAs quantum well can be controlled by applying a gate voltage, because the Rashba mechanism is dominant. The spin-orbit interaction will cause the spint of carriers injected from ferromagnetic electrodes to precess. The precession can be controlled by the gate voltage. This is a first step toward realizing a spin-polarized field effect transistor.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1998-03-01
著者
関連論文
- 18aYG-6 半導体局所ホール効果を用いた微小強磁性体電極の評価
- 6a-N-8 強磁性体電極による二次元電子ガスへの偏極スピン注入効果
- 26pZC-10 非一様スピン軌道相互作用によるスピン・フィルタリング(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 19pYL-4 バリスティックInGaAs-based超伝導弱結合における多重Andreev反射による巨大熱雑音の観測(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 半導体スピントロニクス (特集 新材料とその新機能デバイスへの応用)
- 電界効果スピントランジスタの現状と展望
- 強磁性体/半導体二次元電子ガスハイブリッド構造と電界効果スピントランジスタ
- 27pD-1 InAs-ABリングにおける磁気抵抗振動の局所ゲート電圧依存性
- 半導体中におけるスピン軌道相互作用の制御とスピンFETの可能性
- 29a-ZB-4 InAs-ABリングにおけるスピン軌道相互作用の効果
- 29a-ZB-4 InAs-ABリングにおけるスピン軌道相互作用の効果
- 26a-YG-3 二次元電子ガスInAsを用いたABリングにおけるコンダクタンス振動
- 26a-YG-3 二次元電子ガスInAsを用いたABリングにおけるコンダクタンス振動
- 31a-Q-4 強磁性体/InAs二次元電子ガス/強磁性体構造における磁気抵抗
- 31a-Q-4 強磁性体/InAs二次元電子ガス/強磁性体構造における磁気抵抗
- 6a-N-8 強磁性体電極による二次元電子ガスへの偏極スピン注入効果
- 31a-Q-10 InGaAs/InAlAs系ヘテロ構造のスピン軌道相互作用
- InAlAs/InGaAs系ヘテロ構造の磁気輸送特性
- InAs 層挿入 InAlAs/InGaAs 逆構造 HEMT を用いた JOFET の素子特性
- 18aYG-2 非弱局在解析によるInGaAs量子井戸における零磁場スピン分離の構造反転対称性依存の研究
- 27aYS-6 トンネルバリアーを介した強磁性体/半導体接合におけるスピン注入のモデル計算
- 27aYS-5 非弱局在現象を用いたInGaAs/InAlAsヘテロ界面でのスピン物性の解析と外部電場による制御
- 23pSA-2 In_Ga_As/InAlAsヘテロ構造における非局在現象の解析
- スピンFETの可能性 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 17pYG-7 強磁場中における超伝導体/2次元電子ガス接合の輸送特性
- 24pSA-8 InAs系ABリングにおけるコンダクタンス振動のゲート電圧依存性
- 23pL-8 強磁性体櫛形電極/半導体二次元電子ガス構造のスピン伝導特性
- InGaAs/InAlAsヘテロ構造におけるスピン依存伝導現象
- 半導体・磁性体ハイブリッド構造とスピン注入--スピンFETへ向けての進展 (特集 スピントロニクス(2)スピントロニクスデバイス)
- 28a-L-13 S/N/S接合における巨視的量子トンネル効果
- 5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
- 5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
- 27p-W-11 Nb/InAs/Nb超伝導接合におけるサブギャップ構造
- 13p-D-11 S/N/S接合における最大超伝導電流の極低温下での特性
- 13p-D-12 S/N/S接合における最大超伝導電流の揺らぎ
- 28p-P-4 InGaAs/InAlAs系を用いたSNS接合における多重アンドレーエフ反射