中ノ 勇人 | NTT基礎研究所
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概要
関連著者
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中ノ 勇人
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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中ノ 勇人
NTT基礎研究所
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高柳 英明
NTT基礎研究所
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新田 淳作
NTT基礎研究所
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赤崎 達志
NTT基礎研
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高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
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ナタリー ミコー
NTT基礎研究所
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ミコー ナタリー
NTT基礎研究所
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田仲 由喜夫
NTT基礎研究所
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高柳 英明
新潟大理
著作論文
- 2p-G-4 近接効果による伝導度補正に対する位相の量子揺らぎの影響
- S-N-S接合におけるファブリー・ペロー干渉の研究
- 27p-X-12 S-N-S接合におけるファブリー・ペロー干渉の研究
- 5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
- 2p-YE-4 超伝導近接効果の非局所的計算
- 5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
- 1p-T-14 アンドレーエフ反射の第2量子化表示II
- 28p-P-3 アンドレーエフ反射の第2量子化表示
- 27a-B-6 アンドレーエフ反射で制御される準粒子干渉計
- 27p-W-11 Nb/InAs/Nb超伝導接合におけるサブギャップ構造
- 25a-ZB-8 n^+-GaAs/GaAs/InAs/Nb系のトンネル分光