古賀 貴亮 | 日本電信電話NTT物性研
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概要
関連著者
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古賀 貴亮
日本電信電話NTT物性研
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新田 淳作
日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
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新田 淳作
日本電信電話NTT物性研
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新田 淳作
科技機構crest:東北大工
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新田 淳作
東北大
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赤崎 達志
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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古賀 貴亮
北大院情報
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関根 佳明
NTT-BRL
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古賀 貴亮
北大院情報:北大創成
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関根 佳明
日本電信電話NTT物性研
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佐藤 祐喜
Center For New Material Japan Advanced Institute Of Science And Technology
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Schapers Th.
Institut fur Schichten und Grenzflachen, Forshungszentrum Julich, Germany
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Heersche H.
Department of Applied Physics, University of Groningen, The Netherlands
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高柳 英明
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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Heersche H.
Department Of Applied Physics University Of Groningen The Netherlands
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Heersche H.
Department Of Applied Physics And Material Research Center University Of Groningen
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Schapers Th.
Institut Fur Schichten Und Grenzflachen Forshungszentrum Julich Germany
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Schapers Th.
Institut Fur Schichten Und Grenzflachen Forschungszentrum Julich
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新田 淳作
Ntt物性科学基礎研究所
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リン イピン
日本電信電話NTT物性科学基礎研究所
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Lin Yi
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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赤崎 達志
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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高柳 英明
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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古賀 貴亮
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 : 科学技術振興事業団さきがけ研究21「ナノと物性」
著作論文
- 13aYB-4 Rashba スピン軌道相互作用の制御によるスピン干渉計(半導体スピン物性, 領域 4)
- 18aYG-6 半導体局所ホール効果を用いた微小強磁性体電極の評価
- 13aYB-6 InGaAs 量子井戸のスピン軌道相互作用に及ぼす InP 界面の効果(半導体スピン物性, 領域 4)
- 28aZK-10 InAs 層挿入 InGaAs チャネルにおける g-因子のゲート電圧依存性
- 7pSB-5 2重InAs層挿入InGaAsチャネルにおけるg-因子(磁性半導体,領域4)
- 26pWE-6 InGaAs系微小リング構造におけるAAS振動(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))