新田 淳作 | 日本電信電話(株)物性科学基礎研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 日本電信電話(株)物性科学基礎研究所の論文著者

関連著者

• 新田 淳作

  日本電信電話(株)物性科学基礎研究所

• 新田 淳作

  日本電信電話NTT物性研

• 新田 淳作

  東北大

• 古賀 貴亮

  日本電信電話NTT物性研

• 新田 淳作

  科技機構crest:東北大工

• 関根 佳明

  NTT-BRL

• 古賀 貴亮

  北大院情報:北大創成

• 関根 佳明

  日本電信電話NTT物性研

• 古賀 貴亮

  科学技術振興事業団さきがけ研究21:日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 古賀 貴亮

  北大院情報

• 古賀 貴亮

  さきがけ研究21科学技術振興事業団

• 新田 淳作

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst

• 赤崎 達志

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 古賀 貴亮

  科学技術振興機構さきがけ

• Veenhuizen Marc

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 佐藤 祐喜

  Center For New Material Japan Advanced Institute Of Science And Technology

• Schapers Th.

  Institut fur Schichten und Grenzflachen, Forshungszentrum Julich, Germany

• Heersche H.

  Department of Applied Physics, University of Groningen, The Netherlands

• 高柳 英明

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Morpurgo A.

  デルフト工科大

• Morpurgo A.

  デルフト工科大学

• Heersche H.

  Department Of Applied Physics University Of Groningen The Netherlands

• Heersche H.

  Department Of Applied Physics And Material Research Center University Of Groningen

• Schapers Th.

  Institut Fur Schichten Und Grenzflachen Forshungszentrum Julich Germany

• Schapers Th.

  Institut Fur Schichten Und Grenzflachen Forschungszentrum Julich

• 新田 淳作

  Ntt物性科学基礎研究所

• リン イピン

  日本電信電話NTT物性科学基礎研究所

• Lin Yi

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 赤崎 達志

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Meijer F.

  デルフト工科大学

• Klapwijk T.

  デルフト工科大学

• スタイナー マルカス

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• スタイナー マルカス

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:ハンブルグ大学

• Stephane Marcet

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Datta Supriyo

  Dept.ofElectricalandComputerEngineeringPurdueUniversity

• 高柳 英明

  日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所

• 古賀 貴亮

  科学技術振興事業団さきがけ研究21「ナノと物性」 : 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 古賀 貴亮

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 : 科学技術振興事業団さきがけ研究21「ナノと物性」

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著作論文

• 13aYB-4 Rashba スピン軌道相互作用の制御によるスピン干渉計(半導体スピン物性, 領域 4)
• 29pYF-4 正方形ループ配列にみられるRashbaのスピン軌道相互作用(半導体スピン物性)(領域4)
• 28aZK-11 正方形ループを用いたバリスティックなスピン干渉計
• 18aYG-6 半導体局所ホール効果を用いた微小強磁性体電極の評価
• 26pZC-9 InGaAs二次元電子ガスにおけるゼーマン効果とスピン軌道相互作用の競合(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13aYB-6 InGaAs 量子井戸のスピン軌道相互作用に及ぼす InP 界面の効果(半導体スピン物性, 領域 4)
• 29pYF-9 半導体・磁性体ハイブリッド構造による微小磁性体リングの磁化特性評価(半導体スピン物性)(領域4)
• 電界効果スピントランジスタへ向けてのアプローチ
• 28aZK-10 InAs 層挿入 InGaAs チャネルにおける g-因子のゲート電圧依存性
• 7pSB-5 2重InAs層挿入InGaAsチャネルにおけるg-因子(磁性半導体,領域4)
• 6aSB-10 基板/バッファ層界面でのドーピングによるRashba係数αの制御(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
• 6aSB-9 組成変調による三重障壁非磁性スピン・フィルター(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
• 26pWE-7 共鳴トンネル構造を使った半導体非磁性スピン・フィルターの提案(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 26pWE-6 InGaAs系微小リング構造におけるAAS振動(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

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