6aSB-10 基板/バッファ層界面でのドーピングによるRashba係数αの制御(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
13aYB-4 Rashba スピン軌道相互作用の制御によるスピン干渉計(半導体スピン物性, 領域 4)
-
29pYF-4 正方形ループ配列にみられるRashbaのスピン軌道相互作用(半導体スピン物性)(領域4)
-
28aZK-11 正方形ループを用いたバリスティックなスピン干渉計
-
18aYG-6 半導体局所ホール効果を用いた微小強磁性体電極の評価
-
26pZC-10 非一様スピン軌道相互作用によるスピン・フィルタリング(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
27aZC-6 InAs挿入InGaAs/InAlAsヘテロ構造の磁場中赤外発光スペクトル(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
スピントロニクスデバイスへ向けての最前線
-
21pWF-2 ゲート電界によるRashbaスピン軌道相互作用の制御(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26pZC-9 InGaAs二次元電子ガスにおけるゼーマン効果とスピン軌道相互作用の競合(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
13aYB-6 InGaAs 量子井戸のスピン軌道相互作用に及ぼす InP 界面の効果(半導体スピン物性, 領域 4)
-
29pYF-9 半導体・磁性体ハイブリッド構造による微小磁性体リングの磁化特性評価(半導体スピン物性)(領域4)
-
電界効果スピントランジスタへ向けてのアプローチ
-
28aZK-10 InAs 層挿入 InGaAs チャネルにおける g-因子のゲート電圧依存性
-
26aPS-90 InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音測定(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25aHD-9 InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21pPSA-7 InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流揺らぎ測定II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21aTM-4 InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21aTL-5 InGaAs量子ポイントコンタクトを用いたRashbaスピン軌道相互作用による電気的スピン生成(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21aTL-8 時間依存スピン軌道相互作用から誘起される電流とスピン流(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
23aRA-4 FePt薄膜における電圧印加保磁力変調(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
-
27aCE-11 量子ポイントコンタクトと空間依存ラシュバ効果を用いたスピン流生成(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
7pSB-5 2重InAs層挿入InGaAsチャネルにおけるg-因子(磁性半導体,領域4)
-
26aDD-6 ラシュバ超格子を用いたスピン分極電流(半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
6aSB-10 基板/バッファ層界面でのドーピングによるRashba係数αの制御(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
-
6aSB-9 組成変調による三重障壁非磁性スピン・フィルター(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
-
26pWE-7 共鳴トンネル構造を使った半導体非磁性スピン・フィルターの提案(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
26pWE-6 InGaAs系微小リング構造におけるAAS振動(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク