28aZK-10 InAs 層挿入 InGaAs チャネルにおける g-因子のゲート電圧依存性
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-03-06
著者
-
古賀 貴亮
日本電信電話NTT物性研
-
新田 淳作
日本電信電話NTT物性研
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新田 淳作
科技機構crest:東北大工
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Lin Yi
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
赤崎 達志
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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新田 淳作
日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
-
赤崎 達志
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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