21aYC-10 局所ホール効果を用いた磁壁速度の測定(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2005-08-19

著者

• 関根 佳明

  NTT物性研

• 関根 佳明

  NTT-BRL

• 新田 淳作

  NTT物性科学基礎研

• 新田 淳作

  科技機構crest:東北大工

• 関根 佳明

  Ntt物性基礎研

関連論文

• 23aHW-9 InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用最小点での弱局在/反局在とスピン干渉効果(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aHW-8 InGaAs量子井戸におけるラシュバスピン軌道相互作用が大きい領域での反局在解析(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHY-10 超伝導共振器における共振周波数の温度依存性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25aXG-1 InGaAs量子井戸長方形ループ配列における異方的なスピン干渉効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26p-PSA-47 スピン・パイエルス物質CuGeO_3の誘電異常II
• 2a-Z-5 スピン・パイエルス物質CuGeO_3の誘電異常
• 20aTA-9 InGaAs/InAlAs量子井戸における三角形ループ配列構造を用いたスピン干渉効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aTA-10 三角形ループにおけるRashba、Dresselhaus項を含めたスピン干渉効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28pXB-9 正方形ループ配列構造におけるスピン干渉効果のラシュバ、ドレッセルハウス項を含めた解析(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13aYB-4 Rashba スピン軌道相互作用の制御によるスピン干渉計(半導体スピン物性, 領域 4)
• 29pYF-4 正方形ループ配列にみられるRashbaのスピン軌道相互作用(半導体スピン物性)(領域4)
• 28aZK-11 正方形ループを用いたバリスティックなスピン干渉計
• 8a-M-8 BaCo_Ni_xS_2の高圧下でのHall係数
• 26aWQ-10 InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用の弱反局在とシュブニコフード・ハース振動のビート解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 17pTB-1 3つのジョセフソン接合を用いた超伝導磁束量子ビットにおけるエンタングルメント状態実現方法
• 19aYH-3 DC-SQUIDにおけるリトラッピング電流の磁場依存性
• 27aZC-6 InAs挿入InGaAs/InAlAsヘテロ構造の磁場中赤外発光スペクトル(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 26aXL-4 磁性細線中に捕捉された磁壁の局所ホール効果による検出(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYL-4 バリスティックInGaAs-based超伝導弱結合における多重Andreev反射による巨大熱雑音の観測(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 21pWF-2 ゲート電界によるRashbaスピン軌道相互作用の制御(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYC-10 局所ホール効果を用いた磁壁速度の測定(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• スピン軌道相互作用を用いた電界によるスピン制御
• 13aYB-6 InGaAs 量子井戸のスピン軌道相互作用に及ぼす InP 界面の効果(半導体スピン物性, 領域 4)
• 電界効果スピントランジスタへ向けての現状と問題点(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
• 電界効果スピントランジスタの現状と展望
• 強磁性体/半導体二次元電子ガスハイブリッド構造と電界効果スピントランジスタ
• 27pD-1 InAs-ABリングにおける磁気抵抗振動の局所ゲート電圧依存性
• 29pTB-3 超伝導磁束量子干渉計(SQUID)における共鳴現象
• 28aZK-10 InAs 層挿入 InGaAs チャネルにおける g-因子のゲート電圧依存性
• 27aYS-6 トンネルバリアーを介した強磁性体/半導体接合におけるスピン注入のモデル計算
• 27aYS-5 非弱局在現象を用いたInGaAs/InAlAsヘテロ界面でのスピン物性の解析と外部電場による制御
• 23pSA-2 In_Ga_As/InAlAsヘテロ構造における非局在現象の解析
• 17pYG-7 強磁場中における超伝導体/2次元電子ガス接合の輸送特性
• 24pSA-8 InAs系ABリングにおけるコンダクタンス振動のゲート電圧依存性
• 23pL-8 強磁性体櫛形電極/半導体二次元電子ガス構造のスピン伝導特性
• 25p-YH-8 スピンパイエルス物質NaV_2O_5の誘電異常II
• 28a-PS-78 Ni(S_Se_x)_2における熱電能の高圧効果
• NiS_Se_xの金属-絶縁体転移
• 2a-Z-4 スピンパイエルス物質NaV_2O_5の誘電異常
• 5p-PSA-11 スピンパイエルス物質NaV_2O_5の電気抵抗の圧力効果
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTL-2 InGaAsメゾスコピックループ配列における時間反転干渉効果の半古典ビリヤードシミュレーションによる再現(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-1 弱局在/反局在測定によるInGaAs量子井戸のスピン軌道相互作用係数の定量的決定(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTL-12 InGaAs二重量子井戸系でのスピン分離とスピンフィルタ効果(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-11 InGaAs二重量子井戸系におけるスピンフィルタ効果に関する理論解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• NiS_2における輸送現象の圧力効果
• 電子スピン回転とスピン軌道係数の定量的決定 (特集 量子コンピュータ)
• 21pFB-4 Rashba場反転によるメゾスコピック系時間反転量子干渉振動一致度の定量的評価(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXL-5 ビリヤード・シミュレーションを用いたメゾスコピックループアレイにおけるスピン軌道相互作用係数とカットオフ長の決定(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aDF-3 ナノホーンにおけるトポロジカルDラマンバンド(ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性個体・有機導体))
• 26pWE-5 p-In_Mn_As/n-InAs接合における平行輸送特性(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 27pAW-2 InGaAs/InAlAsダブルヘテロ量子井戸基板上のメゾスコピックループアレイにおける量子補正項の定量的解析(27pAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pAW-7 対称な二重量子井戸におけるシュブニコフビーティングの解析(27pAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク