関根 佳明 | Ntt物性基礎研

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著作論文

• 20pHY-10 超伝導共振器における共振周波数の温度依存性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25aXG-1 InGaAs量子井戸長方形ループ配列における異方的なスピン干渉効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aTA-9 InGaAs/InAlAs量子井戸における三角形ループ配列構造を用いたスピン干渉効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aTA-10 三角形ループにおけるRashba、Dresselhaus項を含めたスピン干渉効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28pXB-9 正方形ループ配列構造におけるスピン干渉効果のラシュバ、ドレッセルハウス項を含めた解析(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aWQ-10 InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用の弱反局在とシュブニコフード・ハース振動のビート解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 17pTB-1 3つのジョセフソン接合を用いた超伝導磁束量子ビットにおけるエンタングルメント状態実現方法
• 19aYH-3 DC-SQUIDにおけるリトラッピング電流の磁場依存性
• 26aXL-4 磁性細線中に捕捉された磁壁の局所ホール効果による検出(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYC-10 局所ホール効果を用いた磁壁速度の測定(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pTB-3 超伝導磁束量子干渉計(SQUID)における共鳴現象
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTL-2 InGaAsメゾスコピックループ配列における時間反転干渉効果の半古典ビリヤードシミュレーションによる再現(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-1 弱局在/反局在測定によるInGaAs量子井戸のスピン軌道相互作用係数の定量的決定(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTL-12 InGaAs二重量子井戸系でのスピン分離とスピンフィルタ効果(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-11 InGaAs二重量子井戸系におけるスピンフィルタ効果に関する理論解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pFB-4 Rashba場反転によるメゾスコピック系時間反転量子干渉振動一致度の定量的評価(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXL-5 ビリヤード・シミュレーションを用いたメゾスコピックループアレイにおけるスピン軌道相互作用係数とカットオフ長の決定(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aDF-3 ナノホーンにおけるトポロジカルDラマンバンド(ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性個体・有機導体))
• 26pWE-5 p-In_Mn_As/n-InAs接合における平行輸送特性(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 27pAW-2 InGaAs/InAlAsダブルヘテロ量子井戸基板上のメゾスコピックループアレイにおける量子補正項の定量的解析(27pAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pAW-7 対称な二重量子井戸におけるシュブニコフビーティングの解析(27pAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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