小川 真人 | 神戸大工
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概要
関連著者
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小川 真人
神戸大工
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相馬 聡文
神戸大工
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相馬 聡文
神戸大院工
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相馬 聡文
神戸院工
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小川 真人
神戸大院工
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渡辺 一之
東理大理
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山本 貴博
東理大理
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山本 貴博
東大院工
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川畑 史郎
産総研
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毛利 真章
神戸大院工
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中村 周平
神戸大工
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山本 貴博
東大工
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古賀 貴亮
北大院情報
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松浦 徹
北大創成
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関根 佳明
NTT-BRL
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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三好 旦六
神戸大学工学部
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古賀 貴亮
北大院情報:北大創成
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松浦 徹
北大院工
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小川 真人
神戸大学工学部
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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東脇 正高
阪大基礎工
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下村 哲
阪大基礎工
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冷水 佐壽
阪大基礎工
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山本 昌則
阪大基礎工
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伊藤 正治
神戸大工
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三好 旦六
神戸大工
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佐伯 和也
神戸大院工
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宮田 貴文
神戸大院工
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中森 剛史
神戸大院工
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関根 佳明
Ntt物性基礎研
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向井 肇
神戸大院工
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近江 裕輔
神戸大院工
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貝野 昭造
神戸大院工
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坂本 理朗
神戸院工
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小川 真人
神戸院工
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Vasenko Andery
Laue-Langevin研
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笹岡 健二
神戸大自然科学系先端融合研究環
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加藤 司真
神戸大工
著作論文
- 20pPSB-52 グラフェントランジスタの輸送特性おけるグラフェン/金属接合の影響(20pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 固体物理の応用 グラフェンナノエレクトロニクス素子の開発に向けて--素子シミュレーションと素子作成・物性評価
- 26pPSB-56 カーボンナノチューブを用いた圧力センサーにおける電界の影響(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aXG-3 狭ギャップ半導体量子井戸構造のゼロ磁場スピン分離における界面構造と障壁材料の影響(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pPSB-16 カーボンナノチューブの輸送特性における圧力と格子欠陥の効果(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pTX-11 狭ギャップ半導体共鳴トンネル素子のスピン依存伝導における界面構造の影響(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-42 グラフェンナノリボン素子におけるスピン輸送に関する理論解析(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRA-13 グラフェンナノリボン素子のトランジスタ特性に関する理論的研究(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aPS-71 グラファイトリボンの電気伝導におけるゲート電極の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 31a-R-12 (775)B GaAs 基板上にMBE成長した自己形成型高密度 GaAs 量子細線の光学的特性
- 24pPSA-29 遺伝的アルゴリズムを用いた原子論的ナノ材料パラメータの探索(24pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 24pPSA-21 擬スペクトル法を用いたシュレディンガー・ボアソン方程式の高精度・高効率解法(24pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 24aPS-100 光照射されたグラフェンの電子状態に関する実時間シミュレーション(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-29 グラフェンナノリボンの電気伝導における引っ張り歪みと外部電界の効果(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-28 グラフェンFETの特性における面内歪みの影響(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-29 レーザー光を用いたグラフェンの電気伝導制御に関するシミュレーション(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aTL-11 InGaAs二重量子井戸系におけるスピンフィルタ効果に関する理論解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBC-6 強磁性絶緑体を用いたジョセフソンπ接合の理論(25aBC 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 19aAF-9 超伝導/強磁性絶縁体/金属接合における電子及び熱輸送(19aAF 超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 28pPSA-72 時間依存ゲート電圧による散乱状態の過渡応答シミュレーション(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))