26aWQ-5 InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 2010-08-18
著者
-
高増 正
物材機構
-
今中 康貴
物材機構
-
新田 峻介
北陸先端大ナノセ
-
山田 省二
北陸先端大ナノセ
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
-
岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセンター
-
山田 省二
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
新田 峻介
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
今中 康貴
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
-
高増 正
物質材料研究機構強磁場共用ステーション
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセ
-
岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセ
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端大、新素材センター
-
山田 省二
北陸先端大
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