23aXJ-4 高濃度II-VI族半導体2次元電子系の磁気光学応答II(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-08-18
著者
-
木戸 義勇
東大物性研
-
高増 正
物材機構
-
滝田 宏樹
筑波大物質工
-
木戸 義勇
物材機構
-
今中 康貴
物材機構
-
Karczewski G.
ポーランド科学アカデミー
-
Wojtowicz T.
ポーランド科学アカデミー
-
Kossut J.
ポーランド科学アカデミー
-
木戸 義勇
物材機構ナノマテ研
-
瀧田 宏樹
筑波大物質工
-
G Karczewske
ポーランド科学アカデミー物理
-
Takehana K.
物材機構
-
J Kossut
ポーランド科学アカデミー
-
滝田 宏樹
筑波大学物質工学系
-
T Wojtowicz
ポーランド科学アカデミー
-
滝田 宏樹
筑波大,物質工
-
Wojtowicz T.
Institute Of Physics Polish Academiy Of Science
-
Kossut J.
Institute Of Physics Polish Academiy Of Science
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