18aYH-2 希薄磁性半導体量子ホール系における磁気発光スペクトルの異常
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2001-09-03
著者
-
木戸 義勇
東大物性研
-
木戸 義勇
物材機構
-
今中 康貴
物材機構
-
Karczewski G.
ポーランド科学アカデミー
-
Wojtowicz T.
ポーランド科学アカデミー
-
Kossut J.
ポーランド科学アカデミー
-
木戸 義勇
物材機構ナノマテ研
-
高増 正
物材機構ナノマテ研
-
G Karczewske
ポーランド科学アカデミー物理
-
今中 康貴
物材機構ナノマテ研
-
J Kossut
ポーランド科学アカデミー
-
T Wojtowicz
ポーランド科学アカデミー
-
Wojtowicz T.
Institute Of Physics Polish Academiy Of Science
-
Kossut J.
Institute Of Physics Polish Academiy Of Science
関連論文
- 27p-P-5 Hf_Ta_xFe_2素の強磁場磁化過程
- 1a-Pβ-30 強磁場下におけるn-GaSbのシュブニコフ・ド・ハース効果
- 31p GN-2 強磁場下におけるFe_3Ptインバー合金の磁化
- 15a-S-10 CuGeO_3のスピン・パイエルス転移 II
- 27aZC-10 自己形成量子リングの光学探査(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 1a-B-7 p-GeSi合金のサイクロトロン共鳴とHall移動度
- 8a-N-8 奇整数量子ホール効果状態における磁気抵抗の温度依存性
- 28p-R-10 奇整数量子ホール効果状態におけるエネルギーギャップの磁場依存性
- 奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象II : 角度および電荷密度依存性
- 奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象I : 角度および電荷密度依存性
- 奇整数量子ホール効果状態におけるBreakdown現象II : 角度および電荷密度依存性
- 3a-E-5 高易動度試料における分数量子ホール効果のブレークダウン現象
- 30p-M-1 パルス強磁場下のNbSe_3の磁気抵抗
- 高密度・大電流プラズマからの放射とその計測研究会プログラム
- 5p-NL-2 強磁場下におけるGaAs EPI薄膜の磁気フォノン共鳴
- 28pWA-4 強磁場中のCu_2O光吸収スペクトルと不安定軌道(量子カオス系)(領域11)
- 20aWE-4 強磁場による Cu_2O 光吸収スペクトルの不安定軌道による考察
- 28pYF-11 Cu_2O 光吸収スペクトルの磁場依存性および温度依存性とカオス的解釈
- 30aVE-7 II-VI族希薄磁性半導体2次元電子系のサイクロトロン共鳴(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYK-13 ミリ波サブミリ波帯におけるCdMnTe量子ホール系の磁気透過測定(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWJ-11 II-VI族半導体2次元電子系におけるミリ波サイクロトロン共鳴と量子振動観測(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aTG-5 強磁場における半導体ファラデー回転分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 3p-A-7 超強磁場におけるGaAs-Al_Ga_xAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 19pYJ-11 n-ZnOのサイクロトロン共鳴とポーラロン効果
- 30a-M-3 GaAs-AlGaAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 19pTA-4 希薄磁性半導体CdMnTe2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aXJ-4 高濃度II-VI族半導体2次元電子系の磁気光学応答II(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXC-2 高濃度II-VI族半導体2次元電子系の磁気光学応答(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXC-3 自己形成量子リングの強磁場発光特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aTB-2 ZnSe中のLiアクセプターによる赤外吸収の磁場変化
- 19aYC-12 II-VI族半導体2次元電子系のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14aYC-5 II-VI 族半導体 2 次元電子系の磁気発光における荷電励起子とフェルミ端異常(磁性半導体, 領域 4)
- 30pYH-7 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe 変調ドープ 2 次元電子系における磁気発光特性のキャリア濃度依存性
- 29pTC-12 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe変調ドープ構造における強磁場下発光特性
- 29pTC-11 希薄磁性半導体2次元電子系Cd Mn Te/Cd Mg Teの磁気発光測定II
- 28a-HE-12 低温強磁場下のグラファイト、ビスマスの磁気抵抗と相転移
- 30a-N-4 グラファイトの強磁場下における誘電異常
- 31p-E-9 パルス強磁場下におけるグラファイトの磁気光学効果
- 3a-B-5 強磁場におけるn-GaPのサイクロトロン共鳴
- 27p-YN-9 パルス強磁場下における磁気光学測定装置の開発と量子ドットへの応用
- 21pTH-9 InP 中 Yb イオンの磁性
- 18aYH-2 希薄磁性半導体量子ホール系における磁気発光スペクトルの異常
- 18aYG-8 Cd_Mn_xCd_Mg_yTe変調ドープ二次元電子系の磁気抵抗 : キャリア濃度依存性
- 22pK-9 希薄磁性半導体2次元電子系CdMnTe/CdMgTeの磁気発光測定
- 22aL-8 希薄磁性半導体2次元電子系CdMnTe/CdMgTeのサイクロトロン共鳴II
- 26aC-5 希薄磁性半導体2次元電子系CdMnTe/CdMgTeのサイクロトロン共鳴
- 24aD-9 分数量子ホール効果状態磁気発光に対する有限電流効果
- 31p-ZB-3 整数量子ホール領域におけるII-VI族半導体2次元電子系の磁気発光測定
- 28a-ZB-11 強磁場下非平衡状態下での磁気発光効果
- 28a-ZB-8 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果III
- 31p-ZB-3 整数量子ホール領域におけるII-VI族半導体2次元電子系の磁気発光測定
- 28a-ZB-11 強磁場下非平衡状態下での磁気発光効果
- 28a-ZB-8 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果III
- 27a-YN-6 整数量子ホール領域におけるCdTe/CdMgTe2次元電子系のサイクロトロン共鳴
- 26p-YG-12 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果状態II
- 26p-YG-12 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果状態II
- 30p-CH-2 "POPCORN-1"のプラズマ・フォーカス高繰り返し現象
- 27p-N-4 パルス強磁場下におけるSi-MOS FETの電気伝導と電子局在
- 27p-N-4 パルス強磁場下におけるSi-MOSFETの電気伝導と電子局在
- 5a-NL-10 パルス強磁場におけるSiMOS-FETのシュブニコフドハース効果III
- 8a-N-8 奇整数量子ホール効果状態における磁気抵抗の温度依存性
- 28p-R-10 奇整数量子ホール効果状態におけるエネルギーギャップの磁場依存性
- 奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象I : 角度および電荷密度依存性
- 4p-NQ-12 超強磁場下におけるルビーの電子スピン共鳴
- 2a-NQ-13 強磁場下におけるDyIGのファラデー回転とスピンフリップ転移
- 1p-B-1 超強磁場におけるEu-カルコゲナイドのファラデー効果と磁気光吸収
- 31a-Y-7 プラズマフォーカス放電による超強磁場の生成VI
- 5p-NL-3 強磁場下における
- 5p-NL-1 超強磁場におけるEuカルコゲナイドのファラデー効果
- 30p-Q-7 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果状態
- 30p-Q-7 内部電流端子を持つ試料における量子ホール効果状態
- 28a-E-4 パルス強磁場におけるSiMOS-FETのシュブニコフード・ハース効果 II
- 4p-B-7 パルス強磁場における Si MOS : FET のシュブニコフ-ド-ハース効果
- 31a-A-2 電磁磁束濃縮法
- 5a-LT-10 超強磁場におけるCdSe,CdSのサイクロトロン共鳴
- 30a-D-6 Co_Ni_xS_2の強磁場磁化過程
- 30a-N-3 パルス強磁場における半金属の振動及び非振動磁化
- 3a-SD-7 パルス強磁場における規則相Au_4Vの磁化過程
- 27p-Z-10 プラズマフォーカス放電による超強磁場の生成 II
- 3a-D-10 プラズマフォーカス放電による超強磁場の生成
- 1a-K-13 パルス強磁場下におけるBi及びBiSb混晶の遠赤外光反射と透過
- 3a-B-6 パルス強磁場下におけるBi及びBi-Sb混晶の赤外サイクロトロン共鳴
- 28a-E-11 パルス強磁場下におけるBi及びBi-Sb混晶の磁気光学反射
- 31p GD-9 パルス強磁場下におけるBi及びBi-Sb混晶の磁気抵抗 III
- 3p-DS-21 パルス強磁場下におけるBi及びBi-Sb混晶の磁気抵抗II
- 3a-BJ-9 パルス強磁場下の Bi および Bi-Sb混昌の磁気抵抗
- 11p-R-2 起強磁場におけるCdSのポーラロンサイクロトロン共鳴
- 5p-N-11 超強磁場下における鉄ガーネット結晶のファラデー効果
- 7a-B-9 超強磁場におけるTe,CdS及びGe赤外サイクロトロン共鳴
- 5p-X-7 超強磁場におけるYIGのファラデー効果
- 12p-F-6 超強磁場下における赤外サイクロトロン共鳴
- 3p-R-6 超強磁場中における赤外サイクロトロン共鳴
- 11p-T-1 超強磁場下におけるファラデー回転
- 3a-Q-6 パルス強磁場下のDyIGの磁気光学的性質
- 27a-Q-8 超強磁場におけるCdSの励起子吸収
- 27p-K-7 超強磁場によるRIGのスピン相転移
- 28a-HE-13 パルス強磁場におけるビスマスおよびグラファイトの磁歪
- 4p-R-12 超強磁場によるRIGのスピン相転移
- 3p GN-10 超強磁場によるGdIG, TbIGのスピン相転移
- 5a-AG-19 超強磁場によるスピン相転移