25aSA-1 量子ホール効果状態での光学緩和家庭に関する研究(25aSA量子ホール効果(発光,二層系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27p-P-5 Hf_Ta_xFe_2素の強磁場磁化過程
-
23aHW-5 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴II(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
22pPSA-43 マルチフェロイックCuFeO_2の基底状態4-sublattice相における異常分極メモリー効果(22pPSA 領域3ポスターセッション(酸化物・f電子系磁性・スピングラス・量子スピン・フラストレーション系・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
-
22pPSA-41 マルチフェロイックCuFeO_2の4-sublattice磁気相に固有な緩和型誘電分散の磁場変化(22pPSA 領域3ポスターセッション(酸化物・f電子系磁性・スピングラス・量子スピン・フラストレーション系・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
-
21aTC-10 導電性鉄フタロシアニン塩の低温磁気抵抗と強磁場ESR II(21aTC MMX・NI転移・π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
-
22pPSA-72 半導体用光ポンピングNMR装置開発の現状(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26pYN-10 フラーレンナノウィスカー中のC_分子運動(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
24aPS-3 光ポンピング法による化合物半導体の動的核偏極と核超偏極状態の研究(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
12pWB-10 光ポンピング法による化合物半導体の核超偏極と励起スペクトル(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
-
21aPS-43 TbXAl(X=Ni, Pd) の構造相転移
-
1a-Pβ-30 強磁場下におけるn-GaSbのシュブニコフ・ド・ハース効果
-
26aXD-5 ZnO 2次元電子系のサイクロトロン共鳴(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
26aXD-4 量子ドット-2次元電子結合系のサイクロトロン共鳴II(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25aXG-6 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25pYC-13 強相関有機絶縁体の非線形伝導領域におけるESR測定(電荷秩序,電荷揺らぎ,非線形伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
-
23pRB-6 有機伝導体の高周波電磁応答とスピン依存伝導(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
-
30aUF-6 水和コバルト酸化物超伝導体の相図 : 価数依存性・Naイオン置換効果・強磁場効果(30aUF Co系・超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
20aPS-14 磁性半導体SmSにおける強磁場効果(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
28pPSA-51 強磁場領域におけるCe_xLa_B_6の磁気相図の研究(28pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
25aPS-86 強磁場下におけるCe_xLa_B_6の弾性定数(領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
12aRC-1 Ce_xLa_B_6 の反強四重極子秩序の強磁場中磁気相図(四極子, 領域 8)
-
29pPSA-15 Ce_xLa_B_6 の強磁場超音波測定
-
27pYF-7 ジシアノ鉄フタロシアニン伝導体の強磁場ESR(27pYF dmit系,π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
-
27aTD-1 超純良単結晶URu_2Si_2の隠れた秩序相内の相転移(27aTD アクチナイド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
22aWE-10 ハイブリッドマグネットシステムの改修I(磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3,磁性,磁気共鳴)
-
15a-S-10 CuGeO_3のスピン・パイエルス転移 II
-
22aPS-83 希土類三元系化合物RTAlの同相構造相転移II(領域3ポスターセッション,化合物磁性,酸化物磁性,f電子系磁性,スピングラス・ランダム系・アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
27aZC-10 自己形成量子リングの光学探査(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
1a-B-7 p-GeSi合金のサイクロトロン共鳴とHall移動度
-
8a-N-8 奇整数量子ホール効果状態における磁気抵抗の温度依存性
-
28p-R-10 奇整数量子ホール効果状態におけるエネルギーギャップの磁場依存性
-
奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象II : 角度および電荷密度依存性
-
奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象I : 角度および電荷密度依存性
-
奇整数量子ホール効果状態におけるBreakdown現象II : 角度および電荷密度依存性
-
3a-E-5 高易動度試料における分数量子ホール効果のブレークダウン現象
-
19pXH-4 NO分子のシュタルク共鳴(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
23aPS-76 逐次転移を示すSmPd_2Al_3単結晶の磁気的性質(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
-
27pSB-8 Pb_2V_3O_9におけるトリプロンのボーズアインシュタイン凝縮(27pSB 量子スピン系(一次元系,クラスター系および一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
-
28pPSA-48 非クラマース系PrInAg_2における四極子近藤効果(28pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
30aSB-2 スピン1/2の3倍周期鎖を持つCu_3(P_2O_6OH)_2における1/3磁化プラトーの観測(30aSB 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
-
30p-M-1 パルス強磁場下のNbSe_3の磁気抵抗
-
21aPS-21 PrInNi_4 の超音波測定と基底状態
-
23aWR-1 black-SmSにおける強磁場中電気抵抗測定(23aWR f電子系一般,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
21pPSA-1 black-SmSにおける巨大磁場効果 : YbSとの比較(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
-
23aTF-11 導電性鉄フタロシアニン塩の低温磁気抵抗と強磁場ESR(含金属有機導体/π-d系,領域7,分子性固体・有機導体)
-
19aYC-11 希土類ドープGaAs超格子における強磁場発光過程(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
28pWA-4 強磁場中のCu_2O光吸収スペクトルと不安定軌道(量子カオス系)(領域11)
-
20aWE-4 強磁場による Cu_2O 光吸収スペクトルの不安定軌道による考察
-
28pYF-11 Cu_2O 光吸収スペクトルの磁場依存性および温度依存性とカオス的解釈
-
26aXD-6 Ybドープ2次元電子系におけるYbトラップ準位の考察(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
30aVE-7 II-VI族希薄磁性半導体2次元電子系のサイクロトロン共鳴(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27pVE-11 量子ドット-2次元電子結合系のサイクロトロン共鳴(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27pVE-10 YbドープAlGaAs/GaAs 2次元電子系の電気伝導特性の励起エネルギー依存性(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21aYK-13 ミリ波サブミリ波帯におけるCdMnTe量子ホール系の磁気透過測定(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20aYK-7 YbドープAlGaAs/GaAsヘテロ構造の電気伝導特性の磁場依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25pWJ-2 Ybドープ2次元電子系の強磁場電気伝導特性(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
24aWJ-11 II-VI族半導体2次元電子系におけるミリ波サイクロトロン共鳴と量子振動観測(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21pTG-9 YbドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造の発光、輸送特性(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22aTG-5 強磁場における半導体ファラデー回転分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18pTA-8 希土類添加AlGaAs超格子の強磁場中発光現象(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aRC-6 近接量子ドット電荷状態に起因する量子ホール効果異常(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aTA-4 Ge中のTeの赤外光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
26aWQ-5 InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系における強磁場下磁気抵抗とスピン分裂磁場依存性(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
19pTA-4 希薄磁性半導体CdMnTe2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
23aXJ-4 高濃度II-VI族半導体2次元電子系の磁気光学応答II(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aXC-2 高濃度II-VI族半導体2次元電子系の磁気光学応答(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aXC-3 自己形成量子リングの強磁場発光特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24pRA-8 単層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
23pWP-12 擬一次元ジシアノフタロシアニン錯体のESR測定(23pWP 量子スピン(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
-
19aYC-12 II-VI族半導体2次元電子系のサイクロトロン共鳴とポーラロン効果(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
29pYG-15 量子ホール効果状態のフォトルミネッセンスに対する電子-正孔間のスクリーニング効果(量子ホール効果)(領域4)
-
30pYH-7 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe 変調ドープ 2 次元電子系における磁気発光特性のキャリア濃度依存性
-
磁場印加中熱分解による強磁性熱分解炭素の作製
-
23pPSB-56 TeをドープしたGeの赤外光伝導(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25aWQ-11 ZnMgO/ZnOヘテロ接合試料における磁気光学測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
21pTH-9 InP 中 Yb イオンの磁性
-
18aYG-8 Cd_Mn_xCd_Mg_yTe変調ドープ二次元電子系の磁気抵抗 : キャリア濃度依存性
-
20aTJ-6 配向 DNA フィルムの光学特性
-
21pTL-8 量子ホール効果状態におけるフォトルミネッセンスの緩和過程とキャリア密度依存性
-
領域4, 5「半導体物性研究におけるイメージング計測の現状」(2005年秋季大会シンポジウムの報告)
-
26pPSA-34 磁性誘電マルチフェロイックCuFeO_2の常誘電相における電場記憶効果(26pPSA 領域8ポスターセッション(低温2),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
21aTL-10 InGaAs 2次元電子系のテラヘルツサイクロトロン共鳴(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24aPS-87 磁性誘電マルチフェロイックCuFeO_2の強誘電相における磁場掃引による分極誘起(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
19pCD-4 磁性誘電マルチフェロイックCuFeO_2の強誘電相における磁場掃引による分極誘起(その2)(19pCD マルチフェロイック,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
21pFB-1 InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20aEC-3 CVDグラフェンにおける近藤効果の検証(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
29aXL-6 Rashba型スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス2層系における整数量子ホール効果(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aXQ-10 ミリ波サブミリ波による量子ホール系の量子振動測定(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26aPS-76 マルチフェロイックCuFeO_2における多段磁場誘起磁気秩序に固有な誘電緩和のHybrid-Magnet(28T)を用いた探査(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
9aSA-8 量子ホール効果状態におけるSPMを用いた伝導度測定(整数・分数量子ホール効果,領域4)
-
9aSA-7 有限電流下量子ホール効果状態におけるフォトルミネッセンスの緩和過程(整数・分数量子ホール効果,領域4)
-
6aPS-73 PrPtBiの弾性定数(II)(4f・5f電子系,重い電子系,遷移金属酸化物,領域8)
-
9pXC-13 PrNi5の磁場中超音波測定(重い電子系(超伝導,その他),領域8)
-
27aXP-9 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe変調ドープ2次元電子系の磁気発光特性:キャリア濃度依存性(27aXP 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
24aSA-8 量子ホール効果状態における試料端の電子特性(24aSA 量子ホール効果(ストライプ,エッジ),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
25aSA-1 量子ホール効果状態での光学緩和家庭に関する研究(25aSA量子ホール効果(発光,二層系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
9aSA-9 アンチドット格子系における量子ホール状態の磁気発光スペクトル(整数・分数量子ホール効果,領域4)
-
26pDD-4 ミリ波サブミリ波による量子ホール系の量子振動測定 II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
-
27aAW-7 InGaAs2次元電子ガス2層系における量子ホール効果(27aAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク