InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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InGaAsを井戸層とするヘテロ接合に形成される2次元電子ガスは、その構造非対称性と狭ギャップ性に起因した強いスピン軌道相互作用を示すことで注目され、近年それを動作原理とする、いわゆるDatta-Das型spin-FET実現をめざす研究が進んでいる。その一方で、全く新しいスピンデバイスを実現できる材料として、上記2次元電子ガスを2層含む構造が作製され、その物性が明らかになりつつある。その中で本研究では、2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送と量子ホール効果について詳しく調べた結果を報告し、分数状態を観測できる可能性について初めて言及する。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-01
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