23aHW-4 InGaAs2次元電子ガス系新構造におけるスピン注入(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 2010-03-01
著者
-
新田 峻介
北陸先端大ナノセ
-
山田 省二
北陸先端大ナノセ
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセンター
-
山田 省二
北陸先端大ナノセンター
-
日高 志郎
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学:ユーリッヒ研究所
-
新田 峻介
北陸先端大ナノセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
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赤堀 誠志
北陸先端大ナノセ
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端大、新素材センター
-
山田 省二
北陸先端大
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