高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
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概要
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Rashba型スピン軌道相互作用の歪みに対する依存性を調べるために、界面で格子整合しているか、わずかに格子不整合の高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合を分子線エピタキシー法により成長した。3種類のヘテロ接合In_<0.75>Ga_<0.25>As/In_xAl_<1-x>As(x=0.7,0.75 and 0.8)2次元電子ガス試料を得ることができ、それらの低磁場での磁気抵抗測定により、スピン軌道結合定数を見積もった。これらの結果を簡単な計算と比較すると、界面が引っ張りひずみ、あるいは圧縮ひずみどちらの場合でもRashbaスピン軌道相互作用は抑圧されるような結果となった。これは、以前2次元ホールガスについて得られている計算結果と類似な結論である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-06
著者
-
新田 峻介
北陸先端大ナノセ
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山田 省二
北陸先端大ナノセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学 新素材センター
-
新田 峻介
北陸先端大ナノセンター
-
崔 賢光
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
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新田 峻介
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
崔 賢光
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
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山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
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新田 峻介
北陸先端科学技術大学院大学 ナノマテリアルテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
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