21pFB-2 高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 2012-08-24
著者
-
山田 省二
北陸先端大ナノセ
-
岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセンター
-
山田 省二
北陸先端大ナノセンター
-
日高 志郎
北陸先端大ナノセンター
-
近藤 太郎
北陸先端大ナノセンター
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター
-
赤堀 誠志
北陸先端大ナノセ
-
岩瀬 比宇麻
北陸先端大ナノセ
-
山田 省二
北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアノレテクノロジーセンター
-
山田 省二
北陸先端大、新素材センター
-
山田 省二
北陸先端大
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