25aXG-5 Rashba効果を示すInGaAs/InAlAs 2次元電子ガスの強磁場下磁気抵抗(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-08-18

著者

• 金道 浩一

  東大物性研

• 松尾 晶

  東大物性研

• 山田 省二

  北陸先端大ナノセ

• 新田 俊介

  北陸先端大ナノセ

• 金道 浩

  物性研

• 山田 省二

  北陸先端大、新素材センター

• 山田 省二

  北陸先端大

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