日高志郎 | 北陸先端大ナノセンター

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著作論文

23aHW-4 InGaAs2次元電子ガス系新構造におけるスピン注入(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
26aHD-8 CoFe電極を用いた高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入実験(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21aTL-7 非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験 (電子デバイス)
27aCE-7 非局所配置によるInGaAs-二次元電子系へのスピン注入検証(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
27aCE-9 強いRashba効果を示すInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21pFB-3 強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
21pFB-2 高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
29aXL-6 Rashba型スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス2層系における整数量子ホール効果(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
29aXL-7 高In組成InGaAs2次元電子2層系のサブバンド輸送特性(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
InGaAs 2次元電子ガス 2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
28aAW-11 InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴II(28aAW 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
27aAW-7 InGaAs2次元電子ガス2層系における量子ホール効果(27aAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
28pPSA-3 電界電離型ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置により試作したInGaAs量子ポイントコンタクトの評価(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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